Подобную конструкцию имеют отечественные магниторезисторы СМ 1-1, выполненные из сплава InSb—NiSb.

Высокие магниторезистивйые свойства сплава InSb—NiSb обуслов­лены большой подвижностью носителей заряда в фазе InSb и нали­чием включений хорошо проводящей фазы NiSb.

Вместе с тем сравнительно высокая проводимость сплава (200—250 Ом^-1´ см^-1) вызывает необходимость использования тонких и длинных образцов для получения практически

приемлемых значений сопро­тивления магниторезисторов. Поэтому проводящая дорожка этих приборов выполнена в форме «меандра» с контактными площадками. Ширина дорожки около 100, толщина 60—100 мкм.

Для реализации сопротивления в диапазоне 22—220 Ом созданы три различных конструктивных варианта. При этом в магниторезисторах с номинальными сопротивлениями 150 и 220 Ом резистивный эле­мент выполнен в виде двух одинаковых проводящих дорожек с сопро­тивлением, вдвое меньшим номинального.

Для механической прочности магниторезисторов их резистивные дорожки закреплены на основании из пермаллоя и изолированы от него слоем лака; гибкие проволочные выводы, припаянные кконтакт­ным площадкам резистивных дорожек, и сами дорожки для защиты от внешних воздействий также покрыты лаком. Использование пер­маллоя, обладающего высокими значениями магнитной проницаемо­сти и индукции насыщения, обеспечивает малую эффективную вели чину зазора магнитной системы, в которой используется магниторе-зистор.

Максимальная толщина магниторезистора сучетом толщин участ­ков пайки не превышает 0, 6 мм.

Уменьшение температурных коэффициентов сопротивления и магниторезистивного отношения может быть достигнуто использова­нием сплавов InSb — NiSb, легированных Те, правда, за счет существенного уменьшения величины маг­ниторезистивного отношения.

Максимальное изменение сопро­тивления магниторезисторов СМ1-1 в магнитном поле достигается при направлении магнитного поля, пер­пендикулярном плоскости магнито­резистора. Его отклонение от это

­гонаправления приводит к умень­шению магниторезистивного отноше­ния от направления магнитного по­ля. Это свойство его использовано при создании датчиков угла пово­рота.