Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задание на учебно-исследовательскую работу
1. Рассмотреть случай образования запирающего слоя при контакте металла с полупроводником n-типа. 2.Определить толщину запирающего слоя при контакте золота (работа выхода == 4, 70 эВ) с селеном (работа выхода =4, 72 эВ) для концентрации акцепторных центров = 4, 72 эВ) для концентрации акцепторных центров n = 10 . Диэлектрическая проницаемость селена = 6. Расчетная формула для толщины запирающего слоя , где (заряд электрона); , - контактная разность потенциалов в вольтах (В). 3. Оценить погрешность определения п в упражнении 1. 4. Снять зависимость фототока Iфо от расстояния точечного источника от фотоэлемента r, для чего линзу следует убрать. Поскольку Iфо ~ r (объяснить почему), то построив зависимость от , по наклону прямой можно определить п. Сравнить полученное значение п с результатом упражнения 1 (г=0, 06—0, 14 м).
Таблица 2 Результаты измерений спектральной характеристики фотоэлемента
Контрольные вопросы 1. Что такое барьер типа Шоттки? 2. При каких условиях возникает барьер типа Шоттки при контакте металла с полупроводником n-типа? р-типа? 3. Дайте определение квантового выхода. 4. Какие физические процессы определяют скорость генерации неравновесных носителей? 5. Что такое показатель поглощения света? 6. Какие переходы определяют собственное поглощение полупроводника? 7. Какими переходами электронов в полупроводниках определяется частотная характеристика показателя поглощения в области коротковолнового края спектральной характеристики? 8. Что такое интенсивность света? 9. Объясните почему при постоянной интенсивности света число фотонов, падающих на единицу площади фотоэлемента в единицу времени прямо пропорционально длине световой волны. 10. Что такое освещенность поверхности и как она зависит от угла падения параллельного пучка света? 11. Как зависит освещенность поверхности от угла падения центрального луча и от расстояния от точечного источника? 12. При каком условии можно считать, что неравновесные носители образуются одновременно во всей области контактного поля барьера Шоттки? 13. Что такое спектральная чувствительность фотоэлемента? 14. Почему происходит уменьшение спектральной чувствительности фотоэлемента в области длинных волн? в области коротких волн?
Литература 1. Шалимова К. В. Физика полупроводников\ М.: Энергия, 1976. - С. 276 - 279, 404 - 405. 2. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники\ М.: Сов. радио, 1980. - С. 176. 3. Данлэп У. Введение в физику полупроводников\ М.: Издательство иностранной литературы, 1959. - С. 395 - 399, 297 - 300, 176 - 181.
|