Упражнение 3. Определение зависимости интенсивности источника от расстояния между источником и наблюдателем

Точечный источник создаёт сферическую волну, уравнение которой выглядит так:

.

Интенсивность пропорциональная квадрату амплитуды, т.е. ~ . В данной работе источник света не является точечным Точечный источник –модель явления. Точечным можно считать источник на бесконечно большом расстоянии от источника.

Снять зависимость фототока Iфо от расстояния между точечным источником и фотоэлементом r (линзу следует убрать). Данные занестив таблицу 3. Для каждого из расстояний до источника провести три измерения и рассчитать среднее значение интенсивности.

По данным таблицы 3 построить построить график зависимости от и по наклону прямой определить показатель п. Его значение должно быть близким к 2.

Таблица 3

Определение зависимости интенсивности источника от расстояния между источником и наблюдателем

№ изм.	, мкА	, мкА	, мкА	, мкА
…

Контрольные вопросы

1. Что такое барьер типа Шоттки?

2. При каких условиях возникает барьер типа Шоттки при контакте металла с полупроводником n-типа, р-типа?

3. Дайте определение квантового выхода.

4. Какие физические процессы определяют скорость гене­рации неравновесных носителей?

5. Что такое показатель поглощения света?

6. Какие переходы определяют собственное поглощение полупроводника?

7. Какими переходами электронов в полупроводниках определяется частотная характеристика показателя поглощения в области коротковолнового края спектральной характеристики?

8. Что такое интенсивность света?

9. Объясните, почему при постоянной интенсивности света число фотонов, падающих на единицу площади фотоэлемента в единицу времени прямо пропорционально длине световой волны.

10. Что такое освещенность поверхности и как она зависит от угла падения параллельного пучка света?

11. Как зависит освещенность поверхности от угла падения центрального луча и от расстояния от точечного источника?

12. При каком условии можно считать, что неравновесные носители образуются одновременно во всей области контактного поля барьера Шоттки?

13. Что такое спектральная чувствительность фотоэлемента?

14. Почему происходит уменьшение спектральной чувствительности фотоэлемента в области длинных волн? в области коротких волн?

Литература

1. Шалимова К. В. Физика полупроводников\ М.: Энергия, 1976. - С. 276 - 279, 404 - 405.

2. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники\ М.: Сов. радио, 1980. - С. 176.

3. Верещагин И.К., Кокин С.М., Никитенко В.А., Селезнёв В.А., Серов Е.А. Физика твёрдого тела. – М.: Высшая школа, 2001.