Статические характеристики транзистора в схеме ОБ

Как было показано, в этой схеме входным электродом служит эмиттер, а выходным- коллектор. Поэтому входное напряжение-это напряжение между эмиттером и базой U_эб, а выходное- между коллектором и базой U_кб; входным током является ток эмиттера I_э, а выходным- ток коллектора I_к.

Поскольку I_к ≈ I_э, то выходной ток почти равен входному, так что схема ОБ практически не усиливает ток, а усиливает только напряжение и во столько же раз мощность сигнала.

Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, представляют собой зависимость тока коллектора от напряжения коллектор- база при постоянном токе эмиттера, поэтому их называют коллекторными (рис.3.8, а):

I_к=ʄ (U_кб) при I_э= const.

Для того чтобы график характеристик был универсальным для транзисторов типа p-n-p и n-p-n, напряжение по горизонтальной оси отложено без учета его полярности, по абсолютной величине.

При I_э=0 ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода

I_к= I_{к обр}, поэтому выходная характеристика, снятая при I_э=0 представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-n перехода. Характеристики, снятые при постоянных значениях I_э> 0 располагаются тем выше, чем больше I_э, причем они выходят не из начала координат.

Это объясняется тем, что при U_кб=0 на коллекторном переходе действует потенциальный барьер φ ₀, создающий ускоряющее поле для неосновных носителей заряда, инжектированных в базу из эмиттера. Поэтому они переносятся электрическим полем из базы в коллектор и создают I_к, не равный нулю. Он тем больше, чем больше I_э, при котором снимается характеристика.

Характеристики идут очень полого, т.е. ток коллектора почти не зависит от изменений напряжений коллектора. Это говорит о том, что выходное сопротивление в схеме ОБ очень велико:

при I_э= const (сотни тысяч ом и более).

При увеличении коллекторного напряжения выше максимально допустимого возникает опасность электрического пробоя коллекторного перехода, который может перейти в тепловой пробой и вывести транзистор из строя.

Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, представляют собой зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер- база при постоянном напряжении коллектор-база; эти характеристики называют эмиттерными (рис. 3.8, б)