Порядок выполнения работы на модифицированной установке УОТП-1

7.1 Включите вольтметр и блок питания нагревателя горячего зонда в сеть.

7.2 Установите с помощью управляемого стабилизатора тока блока питания ток нагрева спирали горячего зонда не более 2 А.

7.3. Переключите вход цифрового вольтметра на образцовую термопару хромель-алюмель. При нагреве горячего зонда не менее, чем на 10К градусов относительно температуры окружающей среды, переведите вольтметр на измерение термоэдс термопары, образованной горячим зондом, пластиной образца и холодным зондом.

7.4. Коснитесь горячим зондом пластины образца на расстоянии не более 10 мм от холодного зонда.

7.5 Считайте с вольтметра показания знака и числа термоэдс.

7.6. Полученные данные занесите в таблицу 1

Таблица 1

Экспериментальные данные по определению термоэдс пластины полупроводника

7.7 Измерьте термоэдс термопары (горячий зонд-пластина-холодный зонд) при различных температурах горячего спая через до и вычислите значение коэффициентов термоэдс исследуемой термопары. Постройте графики зависимости термоэдс от температуры.

Контрольные вопросы

8.1 Каковы механизмы, обуславливающие возникновение термоэдс в полупроводниках и металлах.

8.2 Объясните зависимость коэффициента термоэдс в полупроводниках от материала и температуры (полупроводники собственные и примесные, узкозонные и широкозонные, в примесной области и в области истощения примеси).

8.3 Как влияет ширина запрещенной зоны полупроводника на точность измерения коэффициента термоэдс.

Литература

1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. " Физика полупроводников", М., I990.

2. Павлов Л.П. " Методы измерения параметров полупроводниковых материалов", М., " Высшая школа", 1987.

3. Лысов В.Ф. «Практикум по физике полупроводников», -М., «Просвещение», 1976, 207 с.

4. Вейсс Р. «Физика твердого тела», - М.: «Атомиздат», 1968, 456 с.