Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Изобразить схему АГ на лавинно-пролетном диоде.






Эквивалентная схема

На частоте генерации схема имеет более простой вид

93(116). Добротность ненагруженного контура =100, нагруженного =20, волновое сопротивление контура ρ =300 Ом. Найти КПД, сопротивление потерь контура, вносимое в контур сопротивление.

Решение:

η =1-Qнагр/Qненагр=1-20/100=0.8

Qненагр=ρ /rпот=> rпот= ρ / Qненагр=300/100=3 Ом,

Qнагр=ρ /rвнос=> rвнос= ρ / Qнагр=300/20=15 Ом

94. Найти значение блокировочной индуктивности в цепи питания коллектора транзисторного ГВВ. если амплитуда нап­ряжения на коллекторе Uк = 40 В, а ток Iк = 1А, рабочая частота f = 10 МГц. Изобразить схему транзисторного ГВВ с учетом блокировочной индуктивности Lб .

Будем использовать соотношение Хι б = 20Rк;

Rк= Uк/ Iк=40 Ом; Хι б = 20Rк=40*20=800 Ом

Lб = 12.7 мкГн.

На схеме рассчитанная индуктивность обозначена Lк.

 

95 Записать аналитическое выражение последовательности радиоимпульсов, амплитуда которых Ео, период повторения Т, длительность , частота высокочастотного заполнения f. Изоб­разить спектр..

 

S(t) =






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.