а; г; и.

5. б; в; д; е; к…м.

Правильный ответ –

18) Назовите особенности конструкций катушек индуктивности из:

а – тонкопленочные; б – с каркасом; в – толстопленочные;

г – бескаркасные; д – объемные; е – экранированные; ж – плоские; з – однослойные; и – неэкранированные; к – намотанные;

л – с магнитным сердечником или без него; м – многослойные;

н – секционированные; о – печатные; п – типа чип; р – с немагнитным сердечником.

1. а …е; з… м.

2. б; г…ж, и; л; п; р.

3. а; б; г…з; л.

4. г…м; о; п; р.

5. б…л; н; п.

Правильный ответ –

19) Укажите особенности намоток, чаще всего реализуемых при изготовлении обмоток объемных катушек индуктивности (КИ) (включая трансформаторные), применяемых:

а – в контурных КИ ДВ – и СВ - диапазонов;

б –в контурных КИ КВ – и УКВ - диапазонов;

в – в катушках связи;

г – для низкочастотных дросселей;

д – для вариометров;

е – для дросселей высокой частоты;

ж – в навесных КИ для ГИС;

з – для импульсных трансформаторов;

и – для силовых низкочастотных трансформаторов;

к – для согласующих трансформаторов;

выбрав из:

л – многообмоточная намотка на стержневом или тороидальном сердечнике (магнитопроводе);

м – многообмоточная намотка на Ш - образном магнитопроводе с немагнитным зазором;

н – намотка многослойная универсальная на пластмассовом каркасе;

о –намотка однослойная сплошная на пластмассовом каркасе;

п – многослойная (рядовая, внавал) намотка на пластмассовом каркасе;

р – бескаркасная намотка;

с – на керамическом каркасе вожженная намотка;

т – на керамическом каркасе горячая тугая намотка;

у – на пластмассовом каркасе однослойная намотка с шагом;

ф – секционированная универсальная намотка на пластмассовом каркасе;

х – многослойная (внавал) на тороидальном магнитном сердечнике;

ц – двухобмоточная однослойная намотка на каркасе;

ч – двухобмоточная намотка на ферритовом П - образном сердечнике;

ш – однослойная намотка на тороидальном каркасе (круглого или прямоугольного сечения);

щ – двухобмоточная с одно - и многослойной (универсальной) намотками на каркасе;

э – однослойная намотка (преимущественно с шагом) на каркасах из высокочастотных диэлектриков (возможно с пазами);

ю – однослойная сплошная, либо многослойная (чаще – универсальная) намотка на ферритовые стержни.

1. а – н…у; б – м; ф; у; в – х; ш; г –х; ч…ю; д – л…о; е – р; ж – х; з – ф; х; и – л; м; к – л; м.

2. а – о; н; ф; х; б –р, с, т, у, э, ю; в –ц; щ; г – о; п; х; д – ч; е – н…п; у; х; ю; ж – х; э; ю; з – ю; и – н; к – м.

3. а – н; п; ф; х; б – о, р, с, т, у, э, ю; в – ф; ц; щ; г – н; о; п; х; д – ц, ч; е – н…п; у; х; ю; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м.

4. а – н; ф; х; б – о, с, т, у, э, ю; в – ф; щ; г – н; п; х; д – ц, е – н…п; у; х; ю; ж – н, э; ю; з – л; и – л; к – л…ю.

5. а – н; п; х; б – о, р, т, у, э, ю; в – ф; ц; г – н; о; п; х; д – ц, ч…э; е – н…п; у; х; ю; э; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м…э.

Правильный ответ –

20) Назовите основные технологии изготовления катушек индуктивности:

а – плоской конструкции; б – чип-конструкции; из следующих:

в – толстопленочная технология;

г – тонкопленочная технология;

д – полупроводниковая технология;

е – субтрактивная технология;

ж – тонкопленочная с гальваническим доращиванием электропроводящего слоя;

з – технология по типу формирования слоев керамики, чередуемых с металлизацией этих слоёв;

и – технология опрессовывания пластмассой;

к – технология формирования внешних выводов.

1. а – в…ж; к; б – в…д; з…к.

2. а – в…е; к; б – г; ж…к.

3. а – г…з; к; б – в; е; и; к.

4. а – г; е; ж; к; б – в; з; и; к.

5. а – г, ж… к; б – в; ж; и; к.

Правильный ответ –

21) Для изготовления акустоэлектронных компонентов, таких как:

а – резонаторов на ПАВ; б – фильтров на ПАВ;

в – линий задержки на ПАВ; укажите основные технологии из следующих:

г – формирование звукопровода на основе монокристаллических LiNbO₃, или Bi₁₂GeO₂₀, или LiTaO₃, или SiO₂;

д – формирование звукопровода по тонкопленочной технологии (пленки ZnO и AlN) на сапфире;

е – формирование звукопровода на основе кварца;

ж – формирование звукопровода на основе пьезокерамики;

з – тонкопленочная технология формирования преобразователей, включая фотолитографию;

и – толстопленочная технология формирования преобразователей;

к – технология сборки и монтажа;

л – технология герметизации;

м – технология корпусирования;

н – технология формирования защитных покрытий.

1. а – е; з; к; л; б – г; з; к; м; в – г; з; к; м.

2. а – е; з… л; б – д; з; и; м; в – ж; з; к…м.

3. а – г; ж…м; б – ж; з; к; л; в – г; и… м.

4. а – д; з; и; к; н; б – г; ж; з; к; в – д; з; к… м.

5. а – ж; з; к; м; б – д; и…н; в – е; з…л.

Правильный ответ –

22) Укажите основные технологии изготовления оптронов:

а – на дискретных компонентах; б – на интегральных элементах; из:

в –технология формирования подложки;

г – субтрактивная технология;

д – полупроводниковая технология (на монокристаллах соединений А³В⁵ или твердых растворов на их основе);

е – тонкопленочная технология;

ж – толстопленочная технология;

з – технология формирования световода;

и – технология сборки и монтажа;

к – технология прецизионной сборки и монтажа интегрально-оптических элементов;

л – технология герметизации.

1. а – в; г…л; к; б – в…е; з; и.

2. а – в; г; е; з…л; б – в…д; к; л.

3. а – в; г; е; з; и; л; б – в; д; е; з; к; л.

4. а – в; е…л; б – в… з; л.

5. а – в; е; и; л; б – в… и; л.

Правильный ответ –