Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Результаты экспериментальных исследований и расчетов

ОТЧЕТ

по лабораторной работе № 1

«Исследование полупроводникового диода»

по дисциплине

«Электроника»

 

 

 

Выполнил: студент группы Рб-21о

Шулик Андрей Александрович

Проверила: ассистент

Бойко Анна Ивановна

 

 

Севастополь

Цель работы:

Исследование характеристик полупроводникового диода.

Приборы и оборудование:

Рис.1.1 — Схема включения Рис.1.2 — Схема включения

диода в прямом направлении диода в обратном направлении

 

Результаты экспериментальных исследований и расчетов

Таблица 1.1 — ВАХ диода в прямом включении

Эксперимент , В 0, 28 0, 36 0, 4 0, 46 0, 5 0, 56 0, 6 0, 62 0, 66 0, 68
, мA                    
Расчет P, мВт 0, 28 0, 72 1, 2 1, 84 2, 5 3, 36 4, 2 4, 96 5, 94 6, 8
R пр, Ом                    

Таблица 1.2 — ВАХ диода в обратном включении

Эксперимент , В 0.6 1.2 1.8 2.4   3.6 4.2 4.8 5.4  
, мкA                    
Расчет P, мВт 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24 0.27 0.3
R обр, кОм                    

Дифференциальное сопротивление диода в прямом включении:

Ri= ;

Рассчитаем по формуле дифференциальное сопротивление для трех точек кривой ВАХ полупроводникового диода при прямом включении:

Ом;

Ом;

Ом.

Рассчитаем коэффициенты выпрямления:

;

;

Вывод

В ходе лабораторной работы был исследован полупроводниковый диод при прямом и обратном включении, построена ВАХ диода, соответствующая теоретической. Была рассчитана мощность диода, на рисунке 1.4 видно, что при увеличении силы тока, значение мощности возрастает. На рисунках 1.5 и 1.6 видно, что при прямом включении сопротивление диода с ростом напряжения падает, а при обратном включении возрастает. Это объясняется тем, что при прямом включении обедненная пограничная зона пополняется носителями заряда, а сопротивление и потенциальный барьер p-n перехода уменьшается.

При обратном включении пограничная зона будет расширяться, что приведет к увеличению сопротивления пропорционально приложенному напряжению.

Рассчитано дифференциальное сопротивление диода в трех выбранных точках и определены коэффициенты выпрямления для двух выбранных точек. По результатам расчетов видно, что с ростом напряжения коэффициент возрастает.

 

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Пятый вечер | 




© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.