Порядок проведения измерений и обработки результатов

1. Подключить к источнику питания ВС 4-12 схему, представленную на рисунке 11.

2. Переключатель выходного напряжения источника питания ВС 4-12 установить в положение «12 В».

3. Подать на затвор с помощью ключа К напряжение 1 – 1, 5 В. Увеличивая напряжение от 0 до 12 В при помощи вращения ручки потенциометра R, снять стоковую характеристику транзистора. Изменять напряжение на стоке ступенчато с шагом в 1 В. Результаты измерений напряжения и соответствующего тока записывать в таблицу.

4. Снять стоковую характеристику транзистора при напряжении на затворе =0 В (т.е. повторить измерения пункта 3, но при разомкнутом ключе К).

5. Построить стоковые характеристики, т.е. зависимость между током и напряжением при двух различных напряжениях на затворе.

Таблица

=1 В	=0
, В	, мА	, В	, мА
…

Контрольные вопросы

1. В чем суть полевого эффекта?

2. Дайте определения явлениям обогащения, обеднения и инверсии проводимости приповерхностного слоя полупроводника.

3. Поясните устройство полевого транзистора с изолированным затвором. Укажите наименование и назначение его электродов.

4. Что физически означает изолированный затвор?

5. Нарисуйте вольт-амперные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом (зависимость тока стока от напряжения сток-исток при различных напряжениях на затворе).

6. Объясните причину насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора.

7. Как зависит вид стоковой характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом от напряжения на затворе?

8. Поясните работу ключа на МОП-транзисторе.

9. Поясните работу ключа на комплементарной паре МОП-транзисторов.

Список литературы

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. 8-е изд., испр. – СПб.: Издательство «Лань», 2006. 480 с.: ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).

1. Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 стр.

1. Электронный ресурс https://www.qrz.ru/books/free/electronic/

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ.. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с., ил.

3. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1984. – 80 с., ил.

4. Патент US № 1900018А, приоритет от 28.03.1928 г.). Электронный ресурс https://v3.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument? CC=US& NR=1900018A& KC=A& FT=D& date=19330307& DB=& locale=

5. Закон Мура воплощается в жизнь благодаря инновациям Intel. Электронный ресурс https://www.intel.com/cd/corporate/techtrends/emea/rus/376990.htm

6. Mark Bohr Intel 32 nm Technology. Feb. 10 2009/ Электронный ресурс https://www.intel.com/pressroom/kits/32nm%5Cwestmere%5Cindex.htm.