Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Таймінги






Інша назва цього терміну - латентність, CAS Latency (CAS Latency = CL), тобто тимчасова затримка сигналу. Зазвичай ці тимчасові затримки так і називають - тайминги і скорочено записують у виді: " 2-2-2" (наприклад). Це записані по порядку наступні параметри: CAS Latency, RAS to CAS Delay і RAS Precharge Time. Вони можуть набувати значень від 2 (лінійка модулів пам'яті Kingston HyperX, OCZ)до 9. Від них значною мірою залежить пропускна спроможність ділянки " процесор-пам'ять" і, як наслідок, швидкодія основних компонентів системи.

Приклад з практики: система з пам'яттю на частоті 100 Мгц з таймингами 2-2-2 має приблизно таку ж продуктивність, як та ж система на частоті 112 Мгц, але із затримками 3-3-3. Іншими словами, залежно від затримок, різниця в продуктивності може досягати 10 %.

Міра таймингов - такт. Таким чином, кожна цифра у формулі 2-2-2 означає затримку сигналу для обробки, вимірювана в тактах системної шини. Якщо вказується тільки одна цифра (наприклад, CL2), то мається на увазі тільки перший параметр, тобто CAS Latency. Інші при цьому не обов'язково дорівнюють йому! Практика показує, що зазвичай інші параметри вищі, а значить і пам'ять менш продуктивна (тобто це маркетинговий хід, в специфікації вказати один тайминг, який не дає уявлення про затримки пам'яті при виконанні інших операцій).

Іноді формула таймингов для пам'яті може складатися з чотирьох цифр, наприклад 2-2-2-6. Останній параметр називається " DRAM Cycle Time Tras/Trc" і характеризує швидкодію усієї мікросхеми пам'яті. Він визначає відношення інтервалу, протягом якого рядок відкритий для перенесення даних (tRAS - RAS# Active time), до періоду, протягом якого завершується повний цикл відкриття і оновлення ряду (tRC - Row Cycle time), також званого циклом банку (Bank Cycle Time).

Виробники зазвичай забезпечують свої чіпи, на основі яких побудована планка пам'яті, інформацією про рекомендовані значення таймингов, для найбільш поширених частот системної шини. Проглянути цю інформацію можна наприклад програмою CPU - Z.

З точки зору користувача, інформація про таймингах дозволяє приблизно оцінити продуктивність оперативної пам'яті, до її купівлі. Таймингам пам'яті покоління DDR надавалося велике значення, оскільки кеш процесора був відносно малий і програми часто зверталися до пам'яті. Таймингам пам'яті покоління DDR3 приділяється набагато менше уваги, оскільки сучасні процесори (наприклад Intel Core DUO і Intel I5, I7) мають відносно великі L2 кеши і забезпечені (знову ж таки відносно) величезним L3 кеш, що дозволяє цим процесорам набагато рідше звертатися до пам'яті, а в деяких випадках програма цілком поміщається в кеш процесора.

Ім'я параметра Позначення Визначення
CAS -латентность CL Затримка між відправкою в пам'ять адреси стовпця і початком передачі даних. Час, потрібний на читання першого біта з пам'яті, коли потрібний рядок вже відкритий.
Row Address to Column Address Delay TRCD Число тактів між відкриттям рядка і доступом до стовпців в ній. Час, потрібний на читання першого біта з пам'яті без активного рядка, - TRCD + CL.
Row Precharge Time TRP Число тактів між командою на попередній заряд банку (закриття рядка) і відкриттям наступного рядка. Час, потрібний на читання першого біта з пам'яті, коли активний інший рядок - TRP + TRCD + CL.
Row Active Time TRAS Число тактів між командою на відкриття банку і командою на попередній заряд. Час на оновлення рядка. Накладається на TRCD. Зазвичай приблизно дорівнює сумі трьох попередніх чисел.

 

 

Контрольні запитання

1. Що таке оперативна пам'ять?

2. Яке призначення оперативної пам'яті?

3. Які типи оперативної пам'яті найбільш поширені?

4. Порівняйте основні параметри роботи оперативної пам'яті різних типів.

5. Опишіть основні технічні характеристики запропонованих зразків оперативної пам'яті.

 

 

Завдання для самостійного виконання

1. Перегляньте відеофільм про виготовлення плат пам'яті.

2. Розгляньте запропоновані зразки плат оперативної пам'яті та опишіть їх основні характеристики, зробіть порівняльну характеристику їх за основними показниками за допомогою таблиці.

3. На лабораторному стенді протестуйте за допомогою програмного забезпечення плати оперативної пам'яті.

4. Створіть презентацію про основні типи та характеристики оперативної пам'яті.







© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.