Определение параметров биполярного транзистора

Определение параметров биполярного транзистора производится на базе схемы рис.12.

После сборки схемы необходимо осуществить переустановку настроек во вкладке “Interactive Simulation Settings” опции “Simulate”, как показано на рисунке 5 лабораторной работы №2. Помимо этого в схеме рис.10 в источнике тока I1 необходимо установить полученное значение тока базы I_б0 (для рассматриваемого примера I_б0 = 0, 0013А). В источнике коллекторного напряжения V1 надо установить напряжение, соответствующее линейной части выходных характеристик рис.8 (для рассматриваемого примера установлено U_к = 5В. Затем производится определение параметров транзистора в

Рис. 10. Пример заполнения окна “Analyses paramerers” для передаточной характеристики

Рис. 11. Передаточная характеристика биполярного транзистора

следующей последовательности:

1. Измеряются напяжения и токи в схеме рис.12. Для рассматриваемого случая имеем:

U_б0 = 0, 828 В; I_б0 = 0, 0013А; U_к0 = 5, 00 В; I_к0 = 0, 126А

2. Увеличивается ток базы в два раза и снова производятся измерения.

Получаем U_б1 = 0, 861 В; I_б1 = 0, 0026А; U_к1 = 5, 00 В; I_к1 = 0, 195А

3. Восстанавливаем прежний ток базы, увеличивается напряжение коллектора в два

раза и снова производятся измерения.

Рис.12. Схема для определения параметров биполярного транзистора

Получаем U_б2 = 0, 828 В; I_б2 = 0, 0013А; U_к2 = 10, 0 В; I_к2 = 0, 134А.

Затем рассчитываются параметры транзистора:

Входное сопротивление транзистора

Коэффициент усиления по току

Выходная проводимость транзистора