Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Конструкция лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB диод).
18. Принцип работы полупроводникового оптического усилителя. В полупроводниковом усилителе усиливающей свет средой является тонкий «активный» волноводный слой на границе полупроводников p- и n- типов, через который проходит электрический ток накачки. Конструкция ПУ подобна конструкции обычного полупроводникового лазера, коэффициент отражения зеркал резонатора у которого близок к нулю. Усиливаемое излучение обычно вводится в активный волновод ПУ при его прямом согласовании (стыковке) с подводимым оптическим волокном; похожим образом усиленное излучение выводится из активного волновода. Бывают усилители бегущей волны (1) и усилители Фабри-Перо (2). 19. Конструкция эрбиевого оптического усилителя (рисунок, пояснения). 1 – источник накачки (мощный полупроводниковый лазер с длиной волны излучения 980 нм или 1480 нм), 2 – мультиплексор, 3 – эрбиевое оптоволокно, 4 – полосовой оптический фильтр с пропусканием на длине волны усиливаемого сигнала 1550 нм.
|