Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Конструкция лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB диод).






 

 

18. Принцип работы полупроводникового оптического усилителя.

В полупроводниковом усилителе усиливающей свет средой является тонкий «активный» волноводный слой на границе полупроводников p- и n- типов, через который проходит электрический ток накачки.

Конструкция ПУ подобна конструкции обычного полупроводникового лазера, коэффициент отражения зеркал резонатора у которого близок к нулю. Усиливаемое излучение обычно вводится в активный волновод ПУ при его прямом согласовании (стыковке) с подводимым оптическим волокном; похожим образом усиленное излучение выводится из активного волновода. Бывают усилители бегущей волны (1) и усилители Фабри-Перо (2).

19. Конструкция эрбиевого оптического усилителя (рисунок, пояснения).

1 – источник накачки (мощный полупроводниковый лазер с длиной волны

излучения 980 нм или 1480 нм),

2 – мультиплексор,

3 – эрбиевое оптоволокно,

4 – полосовой оптический фильтр с пропусканием на длине волны

усиливаемого сигнала 1550 нм.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.