Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Подготовка к работе.






1. Изучить теорию туннельного эффекта для прямоугольного потенциального барьера. Получить выражение (6) для коэффициента прозрачности прямоугольного барьера.

2. Оценить энергию Ферми в материале германиевого туннельного диода из следующих представлений. При функция Ферми для всех энергий . Тогда концентрация носителей (известная) связана с энергией Ферми соотношением

.

Используя выражение (7), получаем

,

откуда

.

При расчетах принять концентрацию электронов и дырок~ .

 

 

 

3. Найти энергию , соответствующую максимуму функции распределения электронов в зоне проводимости, исследованием на экстремум функции (8): . Этот анализ элементарен, но трудоемок, поэтому здесь приводим сразу конечный результат:

.

4. Оценить значения и вольт-амперной характеристики германиевого туннельного диода. Расчет вести по формулам

.

Результаты сравнить со справочными значениями соответствующих параметров для исследуемого туннельного диода.

5. Используя типичные параметры германиевого туннельного диода (ширина запрещенной зоны , толщина перехода , площадь перехода ), по формуле (6) оценить вероятность туннельного перехода электронов через барьер. Энергию частицы принять равной ; высоту барьера определить выражением

.

6. По формуле

оценить ток в максимуме вольт-амперной характеристики диода. Результат сравнить со значением для исследуемого диода.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.