Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Основы электронной и измерительной техники






Особенности метода замещения: В)измерения проводятся одним и тем же прибором, в одинаковых внешних условиях С)поочередно измеряются прибором искомая величина и выходной сигнал меры, однородный с измеряемой величиной Д)по результатом поочередных измерения вычисляется искомая величина

Особенности метода замещения: В)измерения проводятся одним и тем же прибором, в одинаковых внешних условиях С)поочередно измеряются прибором искомая величина и выходной сигнал меры, однородный с измеряемой величиной Д)по результатом поочередных измерения вычисляется искомая величина

Отрицательная обратная связь в усилителях используется: C) для увеличения динамического диапазона усиления E) для стабилизации полученного сигнала F) для уменьшения помех и искажений

Отрицательная обратная связь в усилителях используется: А) для уменьшения помех и искажении D) для стабилизации полученного сигнала Е) для увеличения динамического диапазона усиления

По степени условной независимости от других величин данной группы физические величины делятся на: А)производные, условно-зависимыеД)основные, условно – независимые Е)дополнительные

По степени условной независимости от других величин данной группы физические величины делятся на: А)производные, условно-зависимыеД)основные, условно – независимые Е)дополнительные

Поле объемного заряда в ОПЗ (область пространственного заряда п-р переход образуется: нескомпенсированными зарядами донорных и акцепторных примесей из двух разноимённо заряженных слоёв равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и ток неосновных носителей под действием контактного поля, эти токи компенсируют друг друга)

Полупроводниковый стабилитрон-это полупроводниковый диод, напряжения на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для: А) для поддержания постоянных напряжений на обратном участке ВАХ

Полупроводниковый стабилитрон-это полупроводниковый диод, напряжения на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для: А) для поддержания постоянных напряжений на обратном участке ВАХ

При настройке нуля выхода ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения, причины: С) из-за разбаланса внутри схемы ОУ

При увеличении R2, коэффициент усиления изменяется следующим образом: начальные значения тока базы увеличатся увеличится смещение рабочей точки транзистора ток базы начнет возрастать

При увеличении Rr/коэффициент усиления изменяется следующим образом: увеличится коэффициент усиления Ки> 0 коэффициент усиления увеличится по току, по наряжению и по мощности

При увеличении Rvкоэффициент усиления изменяется следующим образом: ток базы уменьшится уменьшится смещение рабочей точки транзистора начальное значение входного тока уменьшится

При увеличении емкостей Ср1 и Ср2 коэффициент усиления изменяется следующим образом: увеличится в области нижних частот коэффициент усиления Кр увеличится

Прибор, имеющий 2 взаимодействующих р-nперехода: преобразователь сопротивления биполярный транзистор

Прибор, имеющий обратную ветвь вольтамперной характеристики, применяется для регулирования частоты вращения: B)имеет на ВАХ два участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением C)симистор

Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации: C) оптоэлектронное устройство E) оптроны

Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации: Е) оптопара F) оптоэлектронное устройство

Причины разбаланса операционного усилителя ОУ: А) нестабильность источников питания

Пробойр-n перехода(Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown of a P-N junctHon): лавинообразный процесс тепловой пробой

Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операции и операции управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии: А) программируемый логический контроллерD) микропроцессорное устройство F) центральное процессорное устройство

Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операций и операций управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии: A) микропроцессорное устройство

Процесс, когда напряжение на затворе становится положительным: электроны начинают отталкиваться от поверхности раздела Si-Si02 затвор управляется положительным напряжением п-канального транзистора

Резкое изменение режима работы диода: туннельным пробоем

Свет распространяется по сетоводу: Е) используя излучательную рекомбинацию в p-n переходеF) по вращательной траектории вдоль волокнаG) по зигзагообразной траектории

Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующим образом: A) усиления сигнала на входе нет D) не усиливается E) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливается

Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующем образом: А) не усиливаетсяD) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливаетсяF) усиления сигнала на входе нет

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: D) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах
Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это: А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
В схеме встречно-параллельные диоды VD1 и VD2включены для: А)стабилизации амплитуды выходного сигналаЕ) уменьшения коэффициента усиления сигнала

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя оУ является: А) напряжение, присутсвующих одновременнона обоих входах

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах
Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это: А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
В схеме встречно-параллельные диоды VD1 и VD2включены для:

Скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости объясняется: А) за счет внутреннего электрического поляС) наличием двойного электрического слоя по обе стороны p-n перехода

Спад амплитудно-частотной харктеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется: В) наличием элемента для барьерного заряда и разрядаЕ) наличием коллекторной нагрузки

Существенные отличия тиристоров от транзисторов и в электрических устройствах: открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов

Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление: D) схема эмиттерног повторителяЕ) схема с минимальным выходным сопротивлением

Схема, изображенная на рисунке- это: С) сравнивающее устройство Д) схема сравнения напряженийЕ) схема компаратора

Схема, изображенная на рисунке- это: С) сравнивающее устройство Д) схема сравнения напряженийЕ) схема компаратора

Схема, изображенная на рисунке : А) структурная схема операционного усилителя В) условное обозначения интегральной микросхемы усилителя






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.