Порядок выполнения практических занятии

1. Расчет параметров элементов колебательного контура и рабочей частоты регулирования.

1.1. Емкость коммутирующего конденсатора рассчитывается из условия t_в=t_c.

1.2. Число параллельных цепей конденсаторов выбранного типа.

1.3. Минимальная емкость коммутирующего конденсатора.

1.4. Максимальная емкость коммутирующего конденсатора.

1.5. Индуктивность коммутирующего дросселя.

1.6. Максимальная длительность коммутационного интервала.

1.7. Максимальная длительность колебательного процесса перезарядка коммутирующего конденсатора.

1.8. Рабочая частота регулирования

2. Расчет группового соединения полупроводниковых приборов.

2.1 Число последовательно соединенных тиристоров в группе, выполняющей функции VS1.

2.2. Число последовательно соединенных тиристоров в группе, выполняющей функции VS2.

2.3. Число последовательно соединенных диодов в группе, выполняющей функции VD1.

2.4. Число последовательно соединенных диодов в группе, выполняющей функции VD2.

2.5. Наибольшее среднее значение тока VS1.

2.6. Наибольшее среднее значение тока VS2.

2.7. Наибольшее среднее значение тока VD1.

2.8. Наибольшее среднее значение тока VD2.

2.9. Число параллельных цепей в группе тиристоров, выполняющих функции VS1.

2.10. Минимальный предельный ток тиристоров, выполняющих функции VS2.

2.11. Число параллельных цепей в группе диодов, выполняющих функции VD2.

2.12. Минимальный предельный ток диодов, выполняющих функции VD1.

2.13. Выбор классификации группы тиристоров по критической скорости нарастания прямого напряжения.

3. Расчет параметров защитных элементов преобразователя.

3.1. Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1.

3..2. Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS2.

3.3. Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1.

3.4. Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функцию VS2.

3.5. Индуктивность дросселя, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS2.

3.6. Индуктивность дросселя, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS1.

3.7. Параметры , S, l_ср дросселя насыщения, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS1.

3.8. Параметры , S, l_ср дросселя насыщения, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS2.

3.9. Принципиальные схемы групп полупроводниковых приборов, выполняющих функции VS1, VS2, VD1, VD2, с защитными элементами.

4. Расчет параметров входного фильтр и индуктивности цепи нагрузки.

4.1. Упрощенная схема системы импульсного регулирования напряжения, аналогичная приведенной на рис. 2.

4.2. Емкость входного фильтра.

4.3. Индуктивность входного фильтра.

4.4. Собственная частота входного фильтра с учетом индуктивности контактной сети и, при необходимости, корректировка емкости фильтра.

4.5. Индуктивность цепи нагрузки преобразователя.

5. Силовая схема преобразователя и временные диаграммы.

Схема и диаграммы, приведенные на рис. 3, а, 4, изображаются на одном листе миллиметровой бумаги простым карандашом. На диаграммах нужно проставить численные значения параметров, указанных на рис. 4, для режима U=U_max, I_н=I_max, t_су=T/2. Вертикальный размер диаграмм от 1, 5 - 3 см

Приложение 1

Условные графические обозначения в электрических схемах

.

1. Резисторы (ГОСТ 2.728—74, СТ СЭВ 863-78):

а) резистор постоянный;

б) резистор переменный (реостат), общее обозначение;

в) резистор переменный с подвижным контактом.

2. Предохранитель плавкий, общее обозначение (ГОСТ 2.727—68, СТ СЭВ 862-78).

3. Конденсаторы (ГОСТ 2.728—74, СТ СЭВ 863-78, 864-78):

а) конденсатор постоянной емкости;

б) конденсатор электролитический неполяризованный;

в) конденсатор электролитический поляризованный;

г) конденсатор переменной емкости.

4, Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.730—73, СТ СЭВ 661-77):

а) диод полупроводниковый, общее обозначение;

б) стабилитрон односторонний;

в) тиристор не запираемый триодный с управлением по катоду.

5. Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.730—73, СТ СЭВ 661-77):

a) транзистор PNP – типа;

b) транзистор PNP – типа;

6. Катушки индуктивности, дроссели (ГОСТ 2.723—68, СТ СЭВ 869-78):

а) катушки индуктивности, дроссели без магнитопровода;

б) дроссель с ферромагнитным магнитопроводом;

в) дроссель с ферромагнитным магнитопроводом с воз­душным зазором;

г) дроссель с ферромагнитным магнитопроводом из мате­риала с прямоугольной петлей гистерезиса (дроссель насы­щения).

7. Электрические машины (ГОСТ 2.722—68):

а) машина электрическая с последовательным возбуж­дением и с указанием щеток (допускается щетки не указы­вать — 7, б);

б) двигатель постоянного тока с последовательным воз­буждением.

8. Трансформатор однофазный с ферромагнитным магни­топроводом и с указанием начал обмоток (ГОСТ 2.723—68, СТ СЭВ 869-78).

9. Контакт коммутационного устройства, общее обозначе­ние (ГОСТ 2.755—87, СТ СЭВ 5720-86):

а) замыкающий;

б) размыкающий;

в) переключающий.

10. Катушка электромеханического устройства, общее обозначение (ГОСТ 2.756—76, СТ СЭВ 712-77).

Приложение 2