Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Порядок выполнения работы. 5. 1. С помощью тумблера Треж выбрать схему для снятия статических характеристик по схеме с общей базой






 

5.1. С помощью тумблера Треж выбрать схему для снятия статических характеристик по схеме с общей базой. Сначала проверяется возможность снятия входных характеристик. Для этого потенциометром R2 устанавливается напряжение Uкб порядка 50 - 60 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение постоянным, изменяют напряжение Uэб с помощью потенциометра R1 и следят за показаниями миллиамперметра, измеряющего ток эмиттера Iэ, величина которого должна меняться в пределах, достаточных для снятия входных характеристик транзистора.

Затем проверяют возможность снятия выходных характеристик. Для этого устанавливают движок потенциометра R1 всреднее положение, а движок потенциометра R2 - в крайнее левое положение, соответствующее минимальному подводимому напряжению. Изменяя потенциометром R2 напряжение Uкб и поддерживая величину тока эмиттера с помощью потенциометра R1, следят за изменением тока коллектора. Последний должен плавно изменяться в пределах, позволяющих снять выходные статические характеристики транзистора.

 

5.2. Снятие входных статических характеристик транзистора.

Для снятия зависимости Iб = f (Uэб) необходимо изменять напряжение, подводимое к эмиттерному р - n - переходу потенциометром R1. При снятии этой зависимости необходимо следить за тем, чтобы напряжение между базой и коллектором оставалось постоянным. Последнее обеспечивается потенциометром R2. Перед снятием характеристик заготавливают таблицу наблюдений.

 

Табл. 5.1 Входные статические характеристики транзистора включенного по схеме с общей базой.

 

Uкб=0В U’кб=…В U’’кб=…В U”’кб =…В
Iб, мкА Uэб, В Iб, мкА Uэб, В Iб, мкА Uэб, В Iб, мкА Uэб, В
               

 

Входные статические характеристики транзистора снимают для Uкб = О В и трех значений напряжений Uкб, отличающихся между собой на 25 - 35 %. Величины напряжений U'кб, U" кб, U" 'кб зависят от типа исследуемого транзистора и выбираются студентом самостоятельно по справочнику. Значения фиксируемых напряжений Uкб, U " кб, U" ' кб должны быть внесены в таблицу наблюдений при подготовке к работе дома и представлены на проверку преподавателю при получении допуска к выполнению лабораторной работы. Напряжения между базойи эмиттером изменяют потенциометром R 1.

 

5.3. Снятие выходных статических характеристик транзистора.

Перед снятием выходных характеристик заготавливают таблицу наблюдений

 

Табл. 5.2 Выходные статические характеристики транзистора включенного по схеме с общей базой.

Iэ=…мкА I’э=…мкА I”э=…мкА I”’э=…мкА
Iк, мкА Uкб, В Iк, мкА Uкб, В Iк, мкА Uкб, В Iк, мкА Uкб, В
               

Выходные статические характеристики снимают для четырех значений тока эмиттера Iэ, I'э, I" э, I" 'э, которые устанавливают потенциометром R1 к поддерживают в процессе наблюдений неизменными. Величины токов эмиттера зависят от типа исследуемого транзистора. Напряжение Uкб изменяют потенциометром R2 от0до10-15В через 2-3 В.

 

5.4. Построение графиков статических характеристик.

На основании результатов наблюдений, представленных в табл. 5.1. и 5.2., в прямоугольной системе координат строят семейство входных и выходных характеристик транзистора. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 5.1. и 5.2. Путем переноса соответствующих точек со входных и выходных характеристик строят характеристики передачи и обратной связи. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 5.3. и 5.4.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.

Отчет по лабораторной работе составляется каждым студентом индивидуально и должен содержать:

1.Точное наименование и цель работы.

2.Таблицу основных данных используемого транзистора.

3.Схему для снятия характеристик транзистора с краткой характеристикой
входящих в нее элементов.

4.Таблицы наблюдений и расчетов.

5.Статические характеристики транзистора.

6.Краткие выводы по работе

 

 

Контрольные вопросы:

1. Почему величина напряжения Uкб оказывает малое влияние на входные

характеристики транзистора?

2. Объясните механизм протекания тока через эмиттерный переход для случая,

когда Uэб = 0, аUбк≠ 0?

3. Покажите полярность подключения питания в схеме с различными типами

транзисторов?

4. В чем отличие входных характеристик в схемах с общей базой и с общим
эмиттером и почему?

5. Назовите особенности и основные параметры схемы с общей базой? 6. Назовите область применения схем с общей базой?

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.