Емкости p-n перехода.

Потенциальный барьер перехода образован неподвижными зарядами, т е положительными и отрицательными ионами, которые составляют емкость, называемой барьерной и обозначается С_б при изменении U_обр меняется толщина p-n перехода, а, следовательно, и С_б. Вообще С_б определятся:

1) Площадью p-n перехода;

2) Концентрацией носителей заряда;

3) Диэлектрической проницаемостью материала п/п.

Чем меньше U_обр, тем меньше толщина перехода, ближе ионы и выше С_б. т. е. p-n переход можно использовать, как емкость, управляемую U_обр:

Где q_б – объемный заряд равновесных носителей (Рис. 15).

При U_пр p-n переход кроме С_б обладает диффузионной емкостью С_диф, которое обусловлено накоплением подвижных носителей заряда в n и р областях, т е при U_пр основные носители в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n и p областях. Каждому значению U_пр соответствует определенно накопленный неравновесный заряд q_диф, тогда

Однако, как С_диф, так и С_б не оказывают существенного влияния на работу p-n перехода, т к они всегда зашунтированы малым прямым сопротивлением перехода. (Рис 15).