Краткие выводы по работе

Ответы на контрольные вопросы

Контрольные вопросы

1. Какие примеси называют донорными?

2. Какие примеси называют акцепторными?

3. Из чего состоит p-n переход?

4. Где больше концентрация подвижных носителей, в области p-n перехода или в прилегающих к нему областях?

5. Чем отличаются друг от друга симметричный и несимметричный p-n переходы?

6. Как изменяется ширина p-n перехода при прямом включении?

7. Как изменяется ширина p-n перехода при обратном включении?

8. Каким законом описывается прямая ветвь ВАХ диода?

9. Какой пробой опасен для p-n перехода?

10. Как измениться ВАХ диода при его нагреве?

11. Какие диоды, германиевые или кремниевые, имеет более широкую запрещенную зону?

12. Какие диоды, германия или кремния, могут работать при более высокой температуре?

13. Расскажите о конструкции, маркировке и условных обозначениях полупроводниковых диодов.

14. Объясните вентильное действие p-n перехода.

15. Каковы особенности точечных и плоскостных полупроводниковых диодов?

16. Постройте и объясните вольтамперную характеристику полупроводникового диода.

17. Какими параметрами характеризуются вапрямительные полупроводниковые диоды?

18. Как влияет температура окружающей среды на характеристики и параметры полупроводниковых диодов?

19. Что такое емкость p-n перехода и как она зависит от величины приложенного напряжения?

20. Какие включаются полупроводниковые диоды, если рабочее напряжение превосходит допустимое обратное напряжение одного дома?

Литература

1. Акимова Г.Н. Электронная техника. Москва: Транспорт, 2005г.

2. Зарахович А.Е., Крылов С.С. Основы электроники для локомотивных бригад:

Учебное пособие – М.: Транспорт, 1992, - 213с.

3. Баташов С.И., Кельбасс С.В., Кожамбердиев К.О., Прозоров Г.С. Лабораторный практикум «Электронная и преобразовательная техника». Алматы, КазАТК, 2008г.

Лабораторная работа №2

Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы: Снятие вольтамперной характеристики и определение параметров кремниевого стабилитрона

План работы

2.1. Сборка и опробование схемы;

2.2. Снятие вольтамперной характеристики Iст= f (Uст) и зависимости = f (). При прямом и обратном включении.

2.3. Определение основных параметров стабилитрона – напряжение стабилизации Uст, пределов изменения тока, в режиме стабилизации Iст, min – Iст, max, динамического сопротивления Rд.

2.4. Построение вольтамперной характеристики и зависимости = f ().