Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Лекция №3. Транзисторлар. Биполярлы транзисторлар. Қосылыс нобайлары. (ОБ,ОЭ,ОК) статикалық мінездемесі.Транзистордың жұмыс істеу принциптері.






Биполярлы транзистор немесе транзистор деп электр тербелістерін кү шейту мен генерация жасауғ а арналғ ан жә не ү ш облыстан тұ ратын кремний немесе германий пластинасы болып табылатын р –n ауысуы бар шала ө ткізгішті аспапты айтады. Екі шеткі облысыың ә рқ ашан бірдей текті ө ткізгіші бар. Ал ортадағ ы облыс қ арама-қ арсы тү рдегі ө ткізгіште болады. Шеткі облыстарының электрондық ө ткізгіштігі, ал ортаң ғ ысының кемтіктік ө ткізгіштігі бар транзисторлар n-р–n ү лгілік транзисторлар деп аталады, 1-ә дебиетте 137 а- суретінде кө рсетілген.

Эмиттер заряд тасушылар, n-р–n ү лгілік транзисторда тасиды, ал р- n-р ү лгілік транзисторларда шығ аратын (эмиттейтін) облыс болып табылады. Коллектор – заряд тасушыларды жинап алатын облыс, база – ортаң ғ ы облыс, негіз.

Транзистордың жұ мыс істеуі кезінде сол жақ тағ ы р –n ауысуын тура бағ ыттығ ы эмиттер – база кернеуі Uэқ беріледі. Оң жақ тағ ы р –n ауысуына кері база – коллектор кернеуі Uэк беріледі. Электр ө рісінің ә серінен сол жақ тағ ы облыстан (эмиттерден) заряд тасушылардың кө п бө лігі р –n ауысын басып ө тіп, ө те енсіз ортаң ғ ы облысқ а (базағ а) ө теді. Заряд тасушылардың кө п бө лігі одан ә рі екінші ауысуғ а қ арай қ озғ ала отырып, оғ ан жақ ындағ аннан кейін кернеу кө зі Uэк тудыратын электр ө рісінің ық палына тү седі.

Базағ а эмиттерден келген заряд тасушылармен рекомбинацияланады (бейтараптанады). Олардың азаюын база тоғ ы Iб-ны қ ұ райтын сыртқ ы тізбектен келетін жаң а заряд тасушылар толық тырылып отырады. Егер эмиттер-база тізбегі ажыратылып тұ рса жә не ондағ ы тоқ I = 0-ге тең болады. Ал коллектор мен база арасына Uкб кернеуі тү сірілсе, онда коллектор тізбегінде, негізгі емес заряд тасушылардан қ алыптасқ ан кішкене кері (жылулық) тоқ Iк жү ріп жатады. Бұ л тоқ белгілі бір дә режеде температурағ а тә уелді болып, транзистордың параметрлерінің бірі болып табылады. Бұ л тоқ кіші болғ ан сайын транзистордың қ асиеттері жақ сара бастайды. Транзистордың екі ө тпесіне екі тү рлі кернеу берілетіндіктен жә не ол кө біне ә лсіз сигналдарды кү шейту ү шін қ олданылатындық тан оның кірмелік жә не шық палық қ ысқ ыштары болуы керек. Транзистордың ү ш шық пасының бірі ә детте кірмелік жә не шық палық тізбектері ү шін ортақ болады. Осы себепті транзистордың ү ш тү рлі жалғ ану схемасы болады. Базасы ортақ, эмиттері ортақ, жә не коллекторы ортақ. (7-ші ә дебиеттте 10.18-суретте кө рсетіледі).

Транзистордың жалғ ану схемасының тү рі оның атқ аратын қ ызметіне жә не параметрлеріне байланысты атқ арылады. Транзистордың кірмелік жә не шық палық кедергілері, кернеуді, тоқ ты жә не қ уатты кү шейту коэффициенттері оның негізнгі парметьерлері болып есептеледі.

Транзисторлдың ә ртү рлі схемадағ ы салыстырмалы параметрлері 3.1 – кестесінде кө рсетеміз.

3.1 – кесте.

 

Параметрі Базасы орт ақ Эмиттері ортақ Коллекторы ортақ
Кірмелік кедергісі, Ом 50…100 200…2000 104…5 *105
Шық палық кедергісі 105…5*105 3*104…7*104 50…100
Кернеуді кү шейту коэффициенті 30…400 30…1000 ≈ 1
Тоқ ты кү шейту коэффициенті ≈ 1 10…200 10…200
Қ уатты кү шейту коэффициенттері 30…400 3000…3*104 10…200

 

Кестеде кө рініп тұ рғ андай, эмиттері ортақ жалғ анғ ан транзистордың параметрлері басқ а жалғ ану схемаларындағ ы параметрлеріне қ арағ анда жақ сырақ. Сондық тан транзистордың эмиттері ортақ жалғ ану схемасы кө бірек қ олданылады.

Транзистордың кірмелік жә не шық палық сипаттамалары алаласатын тізбектер жә не тұ рақ тандыру есебі ү шін қ олданылады. Кіретін ВАС ұ яшығ ы Iб база тоғ ының Uкэ керенуіне тә уелді болады. Коллекторла кернеу ә ртү рлі мә нде болады, UКЭ: IБ=f(UБЭ). Кіретін ВАС ұ яшығ ы IК коллектор тоғ ына тә уелді екнін білдіріп, UКЭ кернеуі IБ-ғ а тә уелді. Олай болса, IК=f(IБ, UКЭ). Тоқ тың статикалық берілісі коэффиценті коллектор тоғ ының, база тоғ ына қ атынасы деп анық талады.

= IК/ IБ (1)

 

Сурет 3.1 Транзистордың кірмелік сипаттамасының схемасы






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.