Зміст звіту

1. Принципова схема стенда та перелік вимірювальних приладів.

2. Таблиці з даними експерименту, побудовані вольт-амперні характеристики діодів.

3. Розрахунок статичного та динамічного опорів діодів у точці робочої області характеристик.

4. Висновки.

Контрольні запитання

1. У чому полягає відмінність зонних структур власного напівпровідника, n-напівпровідника, p-напівпрвідника?

2. Які домішки вводяться у напівпровідник для одержання електронної i дірчатої провідностей?

3. Назвітъ причини виникнення в напівпровіднику дифузійного i дрейфого струмів. Що таке час життя носія i як він пов'язаний з концентрацією но­сіїв заряду?

4. Що називається електронно-дірчатим переходом?

5. Поясніть причини виникнення прямого i зворотнього струмів у p-n пе­реході. Чим обумовлені ємні властивості p-n переходів?

6. Напишіть аналітичне вираження для вольт-амперної характеристики р-n переходу. Які допущення приймаються при виводі зазначеного виразу?

7. Від яких факторів залежить величина бар'єрної ємності? У чому виявляється її шкідливий вплив? У яких випадках бар'єрна ємність бувае корисною?

8. Що такє дифузійна ємність р-n переходу? Від чого залежить її вели­чина?

9. Намалюйте вольт-амперну характеристику реального діода. У чому її відмінності від аналогічної для їдеального р-n переходу?

10. Поясніть залежність властивостей напівпровідникових діодів від зміни температури. Як змінюється прямий i зворотній струм з ростом температури?

11. З якою метою застосовується послідовне з'еднання випрямних діодів? Яким чином можливо усунення пробою послідовного ланцюга випрямних діодів?

12. Назвіть основні типові групи діодів. Які параметри використовуютья для оцінювання властивостей діода?

13 Как определить цоколёвку диода?

14 Как определить тип полупроводника из которого изготовлен диод?

Приложение

Схема єлектрическая принципиальная стенда.