Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Электростатика. где F - сила взаимодействия двух точечных зарядов q1 и q2; R - расстояние между зарядами; 0 - электрическая постоянная; -диэлектрическая проницаемость
Закон Кулона , где F - сила взаимодействия двух точечных зарядов q1 и q2; R - расстояние между зарядами; 0 - электрическая постоянная; -диэлектрическая проницаемость среды. Напряженность электрического поля , где F - сила, действующая на заряд q0, находящийся в данной точке поля. Напряженность поля а) точечного заряда где R - расстояние от заряда q до точки, в которой определяются напряженность и потенциал. б) диполя где p=ql (момент диполя); ( - угол между расстоянием от центра диполя до точки наблюдения R и длиной 1 диполя; в) сферы: вне где R - расстояние от центра сферы; внутри Е=0; г) бесконечно длинной нити: где линейная плотность заряда; 1 - длина нити; - расстояние от нити до точки, напряженность поля в которой вычисляется. -12- д) бесконечной плоскости: Е = где , где S - площадь поверхности, по которой распределен заряд; е) двух бесконечных плоскостей: Евнутри = , Евне = 0. Электрическая индукция D= E. Теорема Гаусса: где Dn - проекция вектора D на направление нормали к элементу поверхности, площадь которой равна dS; qсвоб заряды, охватываемые поверхностью. Электроемкость - изменение потенциала, вызванное зарядом q. Электроемкость а) плоского конденсатора где S - площадь пластин конденсатора; d расстояние между ними; - диэлектрическая проницаемость диэлектрика, запопняющего пространство между пластинами. 6) параллельно соединенных конденсаторов в) последовательно соединенных конденсаторов , Энергия Объемная плотность, энергии
Постоянный ток Сила тока: i = где q - количество электричества, прошедшее чере^ поперечное сечение проводника за время t. Плотность тока где S - площадь поперечного сечения. Закон Ома: 1) для однородного участка цепи где R - сопротивление; 2) для неоднородного участка цепи 3) для замкнутой цепи где R - сопротивление цепи; - ЭДС источников тока. Законы Кирхгофа: 1) для токов, сходящихся в узле =0 2) для замкнутого контура. Работа и мощность тока на участке цепи А= P=IU полной цепи А=
РАЗДЕЛ IV. МАГНИТНОЕ ПОЛЕ В ВАКУУМЕ Сила взаимодействия прямых параллельных токов I1 и I2: где - магнитная постоянная; l- длина участка проводника, на который действует сила; r - расстояние между проводниками. Сила Ампера, действующая на проводник с током в магнитном поле, F=I*l*B*sin 1 - длина проводника; В - магнитная индукция поля; - угол между векторами l и В. Сила Лоренца, действующая на заряженную частицу q, движущуюся со скоростью v в магнитном поле с индукцией В: F=q*v*B*sin где угол между векторами и Закон Био-Савара-Лапласа dB = sin , где dl- длина проводника, г-расстояние от середины элемента проводника до точки, магнитная индукция в которой определяется, -угол между dl и г. Магнитная индукция, созданная 1. прямолинейным проводником на расстоянии г 2. круговым током в центре В = где r- радиус кривизны проводника; 3. бесконечно длинным проводником В = , где г-расстояние от оси проводника; 4. длинным соленоидом на оси где где N-число витков; l-длина проводника; I-сила тока в одном витке. Поток вектора магнитной индукции через плоский контур площадью S Ф=ВnS Ф=BScos Работа сил магнитною поля А=I Ф Закон Фарадея для электромагнитной индукции для самоиндукции где L- индуктивность контура.
Количество заряда, протекающего через сопротивление R при изменении магнитного потока q = Ф=LI Индуктивность длинного соленоида L= L = S L= Экстраток замыкания и размыкания при замыкании I0=0, при размыкании =0. Энергия магнитного поля W = Объемная плотность энергии где Н = напряженность магнитного поля. РАЗДЕЛ V. ОПТИКА Закон преломления где i - угол падения; r - угол преломления; n1 и n2 - абсолютные показатели преломления соответственно первой и второй сред; с - скорость света в вакууме; и - скорость света в среде. Формула тонкой линзы где F - фокусное расстояние линзы; d- расстояние от оптического центра линзы до предмета; f- расстояние от оптического центра линзы до изображения. Оптическая сила: 1) линзы D = 2) системы линз D=D1+D2+...Dn. Интерференционный mах: ; min =(2k+1) , где - оптическая разность хода, - длина волны. Расстояние между интерференционными полосами полученными от 2-х когерентных источников х = L - оптическая длина пути световой волны. Оптическая разность хода для тонкой пластинки при отражении =2dncosr± В отраженном свете: радиус темных колец Ньютона r = радиус светлых колец Ньютона k = где R радиус кривизны поверхности линзы, соприкасающейся с плоскопараллельной стеклянной пластинкой. Для одной щели условие дифракции (min), где d - ширина щели, - угол дифракции. Условие главного mах для дифракционной решетки . Разрешающая способность спектрального прибора R = , где - наименьшая разность длин волн двух соседних спектральных линий ( и ), при которой эти линии могут быть видны раздельно в спектре, полученном посредством данной решетки; R=kN, где N - число штрихов решетки. Степень поляризации где Imax и Imin - максимальная н минимальная интенсивности частично поляризованного света, пропускаемого анализатором. Закон Брюстера при отражение: tg ip=n, где ip- угол падения, при котором отраженная световая волна полностью поляризована, n - относительный показатель преломления. Закон Малюса: a) I=I0cos2p (без поглощения); б)I=(l-k)Iocos2 (k - коэффициент поглощения), где I - интенсивность плоскополяризованного света, прошедшего через анализатор; Iо - интенсивность плоскополяризованного света, падающего на анализатор: - угол между направлением колебаний светового вектора волны, падающей на анализатор, и плоскостью пропускания анализатора. -16-
|