Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задача № 1Стр 1 из 6Следующая ⇒
Вариант №18 1. Полупроводниковые резисторы: варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики (1, 2, 3) 2. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость. (1-4) Примеры решения задач Задача № 1 Рассчитать и построить вольтамперную характеристику идеального диода при комнатной температуре (300оК), если тепловой ток I0=10 nА. Расчет вольтамперной характеристики проводится в соответствии с уравнением , в котором величина I0 представляет тепловой ток p-n-перехода, называемый также током насыщения. Для комнатной температуры Результаты расчета прямой ветви (U > 0) вольтамперной характеристики представляются в виде
а результаты расчета обратной ветви (U< 0) – в виде
Построенная по этим значениям вольтамперная характеристика изображена на рис. 1.
Для определения дифференциального cопротивления Rдиф= на линейном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики
выбирают рабочую точку А и, задав небольшое приращение , получают приращение тока . Тогда Ом
Рис. 1 Взяв производную из выражения для вольтамперной характеристики диода получим
Сопротивление диода постоянному току в рабочей точке А определяется как Ом. При этом всегда R0 > RДИФ.
|