Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Указания к составлению отчета. 6.1 Привести схемы исследования и таблицы с результатами
|
|
6.1 Привести схемы исследования и таблицы с результатами
измерений.
6.2 Построить на зависимости ½ Н21Б½ /Н21Б0=F(f) и ½ Н21Э½ / Н21Э0=F(f). Определить предельные частоты для различных схем включения транзистора. Сравнить их со справочными значениями.
6.3 На графике № 2 построить зависимости Н11Б и Н11Э от частоты.
6.4 На графике № 3 построить зависимости j =(f).
6.5 Сделать выводы об изменении измеренных параметров при увеличении частоты.
Св. план 2001, поз.
Ктн, доц. Валерий Леонидович Савиных,
ктн, доц. Алексей Николаевич Удальцов.
Физические основы электроники.
Методические указания
к лабораторным работам.
Редактор
Корректор Д.С. Шкитина
Лицензия №020475, январь 1998 г. Подписано в печать
Формат бумаги 62 х 84 1/16
Бумага писчая №1. Уч. изд. л. Тираж 500 экз.
Заказ №
СибГУТИ, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86.
|
|