Lt; λэл < 3,00017

При этом, седьмая материя начинает сливается с шестью остальными, но это соединение очень неустойчиво. Незначительные изменения окружающей среды приводят к распаду этого соединения материй. Именно поэтому электрон проявляет себя и как вещество, и как волна (дуализм свойств).

Другими словами, происходит постоянный синтез и распад вещества, образующего электрон. При этом образуется электронное облако, которое может приобретать несколько форм: S -облако, Р -облако, D -облако, F -облако. Эти электронные облака отличаются друг от друга своими пространственными формами, что в свою очередь, влияет на свойства электронов и, в результате они создают разные пространственные соединения между собой.

При соединении атомов в молекулы или при создании из атомов кристаллической решётки, электронные облака разных атомов создают общие системы, которые более устойчивы. При этом систему образуют два электрона, имеющие так называемые, разные спины. Это связано с разным типом искривления мерности микрокосмоса, что приводит к прогибу пространства как в одну, так и в другую сторону относительно нулевого (балансного) уровня.

Электронные структуры соседних атомов сливаются в единую замкнутую систему. Наружные электронные оболочки отдельных атомов не заполнены до баланса. Если атом имеет нечётное число «наружных» электронов, то атом — неустойчив. Когда атомы соединяются в единую систему, каждые два атома отдают по одному «свободному» электрону для образования общей устойчивой системы. Условно электрон, движущийся по часовой стрелке вокруг ядра, определяется, как имеющий положительный спин, а движущийся против часовой стрелки — отрицательный спин (см. Рис.146, Рис.146а, Рис.147).

Соединяясь в молекулы, создавая кристаллические решётки, атомы переходят в более устойчивое состояние. Особенно интересны создаваемые атомами кристаллические решётки. Разные типы кристаллических решёток, имеющие особенности электронных систем, образуют собой три группы: проводники, полупроводники и изоляторы. Различие свойств связано со степенью устойчивости электронных структур.

У проводников общие электронные системы нестабильны, постоянно образуются и распадаются. Вся такая система постоянно находится в движении, правда это движение хаотично. Если тем или иным способом создать направленное воздействие на проводники (приложить напряжение), возникает электрический ток.

Но, что самое интересное, электроны не двигаются в проводнике. Внешнее воздействие (поле) увеличивает степень неустойчивости электронов, они распадаются и материи, их образующие, перетекают на эфирный уровень, где продолжают подвергаться воздействию внешнего поля. Внешнее поле вынуждает перетекать эти материи в определённом направлении (внешнее воздействие [поле] влияет на мерность микрокосмоса атомов, что и приводит к перетеканию материй на эфирный план).

При таком вынужденном перетекании эти материи теряют часть своей энергии, что приводит к новому слиянию материи в очередной зоне искривления микрокосмоса атомов. Электрон вновь синтезируется. Таким образом, движение электронов вдоль проводника есть периодическое перетекание материй, их образующих, с физического уровня на эфирный и обратно.

Именно поэтому при соединении в единое целое кристаллических решёток разных типов, (как в случае полупроводников) и при создании необходимых внешних условий, проявляется так называемый, туннельный эффект. Когда расстояние между точкой распада и точкой синтеза электронов составляет от доли миллиметра до нескольких миллиметров. При этом в этом промежутке — зона «затишья» — не происходит перетекание материй с физического уровня на эфирный и обратно. Это явление возникает при резком отличии электронных структур кристаллических решёток, образующих полупроводник (см. Рис.148).

Очень интересные явления можно наблюдать при образовании разными атомами молекул... При образовании молекул наблюдаются два типа процессов — экзотермические и эндотермические реакции, суть которых заключается в том, что атомы с разными электронными структурами, при образовании молекул, в одном случае поглощают тепловую энергию из окружающего пространства, а в другом случае — излучают эту энергию.

Это связано с тем, что для образования общей системы из нескольких атомов электроны внешних оболочек всех этих атомов должны иметь одинаковый энергетический уровень. Без этого невозможно создание общих электронных пар и соответственно — молекул (см. Рис.149, Рис.150).

Поглощение тепловой энергии приводит к повышению неустойчивости электронов, без которой в целом ряде случаев невозможно разным атомам объединиться в молекулу, в одну систему. При сильном тепловом разогреве атомы начинают терять свои электроны, которые начинают активно распадаться и образуют ионы. При значительной потере атомами электронов, их ядра при таком нагреве становятся неустойчивыми и возможен их распад.

Таким образом, соединение атомов в молекулы, кристаллические решётки возникает, как следствие изменения мерности микрокосмоса этих атомов теми или иными внешними воздействиями. Слияние становится возможным при одинаковой кривизне мерности микрокосмоса атомов и наличии внешних электронов с противоположными спинами.