Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Краткие теоретические сведения. К электрическим свойствам, наиболее широко используемым для исследования материалов, в первую очередь






К электрическим свойствам, наиболее широко используемым для исследования материалов, в первую очередь, относятся удельная электропроводность (g) и обратная ей величина – удельное электросопротивление (r).

 

r = 1\ g.

 

Электропроводность металлов обусловлена движением свободных электронов, изменяющих свое состояние под воздействием электрического поля, что и приводит к возникновению результирующего тока. При своем движении поток электронов испытывает сопротивление, вызываемое флуктуациями тепловых колебаний атомов в решетке и ее несовершенствами.

В сплавах существенный вклад в величину удельного электросопротивления вносят межфазные границы и области концентрационной неоднородности.

Для определения удельного электросопротивления используют формулу:

r= RS \ L,

 

где R – электрическое сопротивление, Ом;

S – площадь поперечного сечения, м2;

L – длина образца, м.

Точность определения электросопротивления зависит от точности определения размеров образца, точности измерительных приборов и установок, от колебаний температуры.

Электросопротивление металлического проводника определяют по формуле:

 

Rt=R0(1+at),

 

где a - температурный коэффициент,

 

aR=(dR\dt) (1\R0),

 

Для меди: a = 2х10-31/0С,

Для железа: a= 4х10-31/0С.

 

Метод двойного моста. Этим методом можно с высокой точностью измерять малые электросопротивления (от 10-6 до 1 Ом). Принципиальная схема двойного моста представлена на рис. 13.1. Применение двойного моста для измерения малых электросопротивлений основано на том, что дополнительные сопротивления контактов и потенциальных токоподводов, связанных с образцом, не влияют на потенциалы точек f и c, к которым подсоединен нуль-гальванометр, поскольку величина промежуточных сопротивлений R1, R2, R3, R4 намного больше (больше 100Ом) указанных дополнительных сообщений.

 

Рисунок 13.1 – Принципиальная схема двойного моста

 

Измерения проводят следующим образом. Изменяя сопротивление R1 – R2, R3 – R4 при эталонном RN, добиваются равенства потенциалов в тачках f и c, что соответствует нулевому показанию гальванометра. В этот момент равновесия моста падение напряжения на участке af и fe должно быть соответственно равно падению напряжения на участках ac и ce. Отсюда

 

IxX + I2R3 = I1R1; IxX = I1R1 – I2R3 ,

 

INRN + I2R4 = I1R2; INRN = I1R2 – I2R,

 

Так как Ix = IN, то

X = RN(I1R2 – I2R3) \ (I1R2 – I2R4),

 

Если R1 = R3 , а R2 = R4, то

 

X = RN (R1\R2),

 

Равенство сопротивлений R2 и R4, достигается в приборе тем, что их изготавливают в виде магазинов сопротивления, рычаги которых соединены друг с другом, и изменение одного сопротивления вызывает соответственно такое же изменение другого. Сопротивления R1 и R3 заведомо устанавливают равными друг другу.

Уравновешивание достигается регулированием величины эталонного сопротивления RN при постоянном отношении плеч R1/R2 = R3/R4 или, напротив, сохранением в процессе измерения постоянного значения RN и изменения отношения плеч. Более часто применяют мосты, в которых сохраняют в процессе измерения постоянное RN, причем уравновешивание схемы достигается изменением сопротивлений R2 и R4, тогда как R1 и R3 в процессе измерения не изменяют. Высокая точность измерения по схеме двойного моста объясняется тем, что сопротивления R1, R2, R3, R4 выбирают значительно больше сопротивлений Х и RN.

Таким образом, сила тока, проходящего через ветви afe и bcd, значительно меньше, чем сила тока, проходящего через Х или RN. Поэтому небольшие изменения в сопротивлении этих ветвей за счет переменного сопротивления контактов и подводящих проводов мало сказываются на потенциалах точек f и c. Напротив, даже малые изменения сопротивления образцов будут отмечены. Они приведут к изменению потенциалов в точках b и d, а, следовательно, и в точке с, к которой подключен пульт нуль-гальванометра. Небольшие изменения сопротивления Х будут отражаться на показаниях гальванометра G и для получения его нулевого показания изменить сопротивления R1 и R2.

Для проверки правильности показаний моста включают вместо измеряемого сопротивления Х известное эталонное сопротивление. Если Х1 – сопротивление образца без подстановки эталона, а R1N – сопротивление эталона, то истинное сопротивление образца Хист может быть вычислено из соотношения

 

Хист/Х = RN/R1N,

 

Для повышения точности схемы двойного моста применяют гальванометры зеркального типа с чувствительностью порядка 10-8 или 10-9 А на 10, используя для регистрации оптическую шкалу. Силу тока выбирают в зависимости от сопротивления измеряемого образца.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.