Подготовка приборов к работе

Лабораторная работа № 1

Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Учебные цели

Расширить и углубить полученные на лекциях знания по параметрам и характеристикам полупроводниковых диодов в результате проведения их экспериментальных исследований и приобрести практические навыки по снятию вольт-амперных характеристик и измерению параметров полупроводниковых диодов с использованием типовой измерительной аппаратуры.

Содержание работы

1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводниковых диодов.

2. Снятие обратной ветви ВАХ полупроводниковых диодов.

Учебно-материальное обеспечение

Лабораторное оборудование

1. Установка для исследования электронных приборов (УИЭП).

2. Мультиметр.

3. Германиевый и кремниевый полупроводниковые диоды.

Методические рекомендации и указания

1. Накануне лабораторной работы следует прибыть на кафедру и ознакомиться с образцом оформления отчета по данной работе.

2. Самостоятельно сделать предварительную " заготовку" отчета по лабораторной работе (тема, цель, содержание, лабораторное оборудование, таблицы и т.д.).

3. Отчет по лабораторной работе оформляется на двойном стандартном листе тетрадного формата.

4. Ознакомиться с контрольными вопросами и быть готовым к проверке теоретических знаний по теме данного занятия.

Порядок выполнения работы

Для снятия и исследования характеристик полупроводниковых диодов (рис. 1.1) в данной лабораторной работе используется установка для исследования электронных приборов (УИЭП); мультиметр и панели с диодами.

Подготовка приборов к работе

Исходное положение органов управления установки для исследования электронных приборов:

тумблер ВКЛ – ВЫКЛ - в положении ВЫКЛ;

ручки регулировки напряжения ГРУБО и ТОЧНО - в крайнем левом положении;

к гнездам «V1» и «мА1» подключить мультиметры, обеспечивая требуемые режимы измерения параметров: соответственно гнезда «V» и «^» для измерения напряжения, а гнезда «А» и «^» для измерения тока.

1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводниковых диодов

Схема исследования ВАХ полупроводниковых диодов представлена на рис.1.2. Установить согласно данной схеме панельку с германиевым диодом в разъем на лицевой панели УИЭП, а контактной колодкой «+» «-» обеспечить прямое включение диода.

Переключатель режимов работы мультиметра, подключенного к гнездам «V1», перевести в положение «20 V».

Переключатель режимов работы мультиметра, подключенного к гнездам «мА1», перевести в положение «20 мА».

Включить УИЭП и, изменяя ток в пределах от 0 до 10 мА ручкой ТОЧНО (а при необходимости и ручкой ГРУБО), производить измерения падения напряжения на диоде (рекомендуемые значения тока указаны в таблице 1.1).

Результаты измерений занести в таблицу 1.1.

Таблица 1.1

Заменить панельку с германиевым диодом на панельку с кремниевым диодом и повторить эксперимент.

Результаты измерений также занести в таблицу 1.1.