Установка для контроля прочности микросоединений на отрыв и срез

Предназначена для контроля механической прочности сварных и паяных микросоединений на отрыв и срез при подборе режимов сварки и пайки.

Техническая характеристика

Диапазон усилий, кгс 0, 001…0, 05

Погрешность измерения усилий, кгс

0, 001-0, 01 ±0, 001

0, 011-0, 025 ±0.002

0, 026-0, 050 ±0.003

Размеры подложек, мм от 10´ 16 до 48´ 60

Питание от сети переменного тока:

напряжение, В 220

частота, Гц 50

Габаритные размеры, мм 430´ 300´ 250

Масса, кг 5

Установка контроля герметичности вакуумно-жидкостным методом типа КГЖ (дЕ2.950.015)

Предназначена для контроля герметичности корпусов микросхем вакуумно-жидкостным методом.

Техническая характеристика

Производительность, корпусов/ч не более 200

Размеры рабочей камеры, мм:

диаметр 67

высота 90

Предельное давление вакуумной системы, мм.рт.ст. 0, 5…0, 001

Потребляемая мощность, кВт 0, 6

Питание от сети переменного тока:

напряжение, В 220/380

частота, Гц 50

Габаритные размеры, мм 680´ 750´ 930

Масса, кг 160

Полуавтоматическая установка УКГМ-2

Предназначена для контроля герметичности масс-спектрометрическим методом снабжена поворотной трехпозиционной каруселью.

Техническая характеристика

Производительность, шт/ч 120

Внутренние размеры (диаметр∙ высота), мм 72´ 52

Максимальная чувствительность установки к потоку гелия, см³*Па/с 10^-9

Верхний предел отбраковки корпусов по потоку гелия, см³*Па/с 1.3*10^-4

Расход воды при давлении 0, 3…0, 5 МПа, л/ч 80

Расход сжатого воздуха при давлении 0, 1…0, 4 МПа, л/ч 0, 5

Расход жидкого азота, л/ч 0, 25

Потребляемая мощность, кВт 5

Габариты, мм 2155´ 880´ 1250

Масса, кг 700

ВЫВОДЫ

В данной работе выполнены все этапы проектирования от анализа технического задания до выпуска конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации для производства логического элемента в виде ГИС. Основные этапы следующие. Выбраны материалы пленочных резисторов, проводников, подложки, а также конструкция корпуса, навесные компоненты и технологическое оборудование. Разработана топология платы. Разработан технологический процесс изготовления платы и сборки всей ГИС на основе типовых технологических процессов.

Конструкторская (КД) и технологическая (ТД) документации соответствуют требованиям ЕСКД и ЕСТД.

Разработанная ГИС соответствует требованиям технического задания (ТЗ).

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК

1. Коледов Л. А. Технологии и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.: ил.

2. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.: ил.

3. Матсон Э. А., Крыжановский Д. В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Высш. школа, 1982. – 224 с., ил.

4. Методические указания к лабораторному занятию №1 «Расчет пассивных элементов ГИС» по дисциплине «Конструирование и технология микросхем» для студентов специальности 0705/ Сост. А. С. Антоненко. – Запорожье: ЗМИ, 1985. – 27 с.

5. Парфенов О. Д. Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. «Конструирование и пр-во ЭВА». – М.: Высш. шк., 1986. – 320 с., ил.

6. ОСТ 4Г0.054.028 – «Микросхемы интегральные гибридные тонкопленочные первой и второй степеней интеграции. Типовые технологические процессы».

7. Методические указания к лабораторному занятию №2 «Разработка топологического чертежа» по дисциплине «Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров» для студентов специальности 0705 всех форм обучения/Сост. А. С. Антоненко, Е. С. Пономаренко. – Запорожье: ЗМИ, 1988. – 24 с.

8. Методические указания к курсовому проекту по дисциплине «Конструирование и технология микросхем» для студентов специальности 0705/Сост. А. С. Антоненко. – Запорожье: ЗМИ, 1985. – 16 с.