Задача 29

Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

Задача 30

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

Задача 31

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону m_ак = m_ион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

Задача 32.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: m_n =1450 см²/В× с; m_p =500 см²/В× с;

Ge: m_n =3800 см²/В× с; m_P =1800 см²/В× с;

Задача 33

В образце n-Ge с концентрацией n = 10¹⁴ cм^–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень E_t расположен в верхней половине запрещенной зоны и N_t = 2× 10¹² см^-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T^-1/2. Считая постоянными n_o и сечение захвата дырок S_p определить S_p и E_t^.

Задача 34

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

Задача 35

В момент времени t=10^-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10^-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

Задача 36

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с N_t =5.10¹² см^-3, а E_t = (E_c+E_v)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.

Задача 37

Определить значение Холл-фактора при сильном вырождении (m/кТ > 10) при рассеянии только на ионах примеси, либо только на фононах.

Задача 38

Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

Задача 39

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

Задача 40

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону m_ак = m_ион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

Задача 41.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: m_n =1450 см²/В× с; m_p =500 см²/В× с;

Ge: m_n =3800 см²/В× с; m_P =1800 см²/В× с;

Задача 42

В образце n-Ge с концентрацией n = 10¹⁴ cм^–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень E_t расположен в верхней половине запрещенной зоны и N_t = 2× 10¹² см^-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T^-1/2. Считая постоянными n_o и сечение захвата дырок S_p определить S_p и E_t^.

Задача 43.

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

Задача 44.

В момент времени t=10^-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10^-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

Задача 45.

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с N_t =5.10¹² см^-3, а E_t = (E_c+E_v)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.