Внутренний фотоэффект.

Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием излучения называют фоторезистивным эффектом. Добавочная проводимость, обусловленная носителями заряда, созданными оптической генерацией, носит название фотопроводимости. При межзонных переходах имеет место собственная фотопроводимость (переход 1 на рис. 13.1). Для полупроводников с прямыми зонами при вертикальных переходах энергия фотона hν должна быть не меньше ширины запрещенной зоны:

При наличии в запрещенной зоне полупроводника локальных уровней оптическое поглощение может вызвать переходы электронов между уровнями примеси и энергетическими зонами (переходы 2 и3 на рис. 13.1). В этом случае фотопроводимость называют примесной фотопроводимостью. Полная проводимость полупроводника определяется равновесными носителями заряда n0 и p0 и фотоносителями ∆ n, ∆ p и равна: