Классификация транзисторов.

По основному полупроводниковому материалу.

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлические выводы, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «металл-окисел-полупроводник»). Однако основными материалами транзисторов являются кремний, германий и арсенид галлия. Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры.

По структуре.

Биполярные транзисторы - трёх электродные полупроводниковые приборы. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). Работа биполярного транзистора основана на переносе зарядов одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки. Делятся на:

· p-n-p «прямой проводимости»

· n-p-n «обратной проводимости»

Рис. 3. Обозначение биполярных транзисторов на схемах.

Полевые транзисторы - полупроводниковые приборы, через которые протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком. Делятся на:

С затвором в виде p-n-перехода:

· С каналом n-типа.

· С каналом р-типа.

С изолированным затвором(В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как, по причине изолированного управляющего электрода (затвора) такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.):

· Со встроенным каналом.

· С индуцированным каналом.

Рис.4. Обозначение полевых транзисторов на схеме.

Другие разновидности транзисторов.

· Однопереходный транзистор (двухбазовый диод) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольтамперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

· Криогенные транзисторы.

· Многоэммитерные транзисторы.

· Баллистические транзисторы.

· Фототранзисторы — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, вариант биполярного транзистора. Отличаются от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Фототранзисторы имеют структуру n-p-n или p-n-p транзистора и могут усиливать ток. едостаткнедостатк

· Одномолекулярные транзисторы.

Комбинированные транзисторы.

· Транзисторы со встроенными резисторами— биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

· Транзистор Дарлингтона, пара Шиклаи — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

· на транзисторах одной структуры

· на транзисторах разной структуры

· Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

· Биполярный транзистор, управляемый полевым транзистором с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами

Классификация транзисторов по рассеиваемой в виде тепла мощности.

· Маломощные транзисторы (до 100 мВт.).

· Средней мощности (от 0.1 до 1 Вт.).

· Мощные транзисторы (от 1 Вт. и больше).