Флэш-память других фирм

Микросхемы флэш-памяти выпускаются многими фирмами. Они различаются по организации, интерфейсу, напряжению питания и программирования, методам защиты и другим параметрам. Лидеры в области разработки и производства флэш-памяти — фирмы AMD, Fujitsu Corporation, Intel Corporation и Sharp Corporation летом 1996 года приняли спецификацию CFI (Common Flash Memory Interface Specification), обеспечивающую совместимость разрабатываемого программного обеспечения с существующими и разрабатываемыми моделями флэш-памяти. Эта спецификация определяет механизм получения информации о производителе, организации, параметрах и возможных алгоритмах программирования микросхем флэш-памяти. Для этого микросхемы флэш-памяти должны поддерживать команду опроса QUERY. В первом шинном цикле в микросхему по адресу 55h посылается код 98h (микросхема может и игнорировать адрес, «отзываясь» только на код дан­ных 98h). Во втором шинном цикле, адресованном к этой микросхеме, выполняется чтение данных.идентификационной структуры (на шину адреса микросхемы пода­ется адрес интересующего байта структуры). Этими парами циклов структура может быть считана в произвольном порядке. Идентификационная структура содержит:

♦ ключ-признак наличия структуры — цепочка символов «QRY»;

♦ идентификатор (2 байта) первичного набора команд и интерфейса програм­
мирования;

304________________________________ Глава 7. Интерфейсы электронной памяти

♦ указатель на таблицу параметров для программирования (и саму таблицу);

♦ идентификатор, указатель и таблицу параметров альтернативного набора
команд и интерфейса (если имеется);

♦ минимальные и максимальные значения напряжений питания (основного
и программирующего);

♦ значение тайм-аутов для операций стирания (блока и всей микросхемы) и за­
писи (байта, слова, буфера);

♦ объем памяти;

♦ максимальное число байтов для многобайтной записи;

♦ описания независимо стираемых блоков.

Для перевода в режим чтения массива микросхемы должны воспринимать коман­ду чтения массива Read Ar ray — запись кода FFh (FOh) по любому адресу в мик­росхеме.

Для большинства изделий справедливы тенденции, описанные при рассмотрении микросхем Intel и AMD, а именно — повышение объема, снижение напряжений питания и потребляемой мощности, повышение производительности и упроще­ние внешнего интерфейса для операций стирания и программирования. По ин­терфейсу программирования микросхемы, у которых в начальной части обозна­чения стоит число «28», как правило, близки к флэш-памяти Intel, а с числом «29» — к флэш-памяти AMD.

Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции сти­рания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании.

Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программ­ную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения.

Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогич­но, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG - 2 М х 16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH - 2 М х 16 Burst Flash Memory.

Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST хх YY zzz — ttt, где хх — семейство:

♦ 28 — побайтное программирование, посекторное стирание;

♦ 29 — страничное программирование с прозрачным стиранием (команда стира­ния сектора отсутствует, внутренняя операция выполняется автоматически перед записью страницы в массив).

7.3. Энергонезависимая память________________________________________ 305

Элемент YY задает функциональный тип и напряжение питания:

♦ ЕЕ— EEPROM-совместимые, выполнение одной инструкции, V_cc = 5 В;

♦ LE - то же, что и ЕЕ, V_cc " 3 В;

♦ VE - то же, что и ЕЕ, V_cc - 2, 7 В;

♦ SF— операции Super Flash Command Register, V_Cc = 5 В;

♦ IF-то же, что и SF, V_cc-3 В;

♦ W⁷-то же, что и SF, V_cc = 2, 7 В;

♦ DM — Disk Media (для флэш-дисков, требует внешнего контроллера), V_cc = 5 В;

♦ LM — то же, что и DM, V_cc ~ 3 В;

♦ Ш-тоже, что и DM, V_CC = 2, 7B;

♦ PC — PCMCIA (интерфейс и протоколы), V_cc = 5 В.

Элемент zzz задает объем микросхемы:

♦ 572 - 512 Кбит (64 К х 8);

♦ 070-1Мбит(128Кх8);

♦ 040-4Мбит(512Кх8);

♦ 050 - 8 Мбит (1 М х 8);

♦ 016-16Мбит(2Мх8);

♦ 032 - 32 Мбит (4 М х 8).

Элемент ttt задает время доступа при чтении.

Микросхемы SST29EEQ10, 29LE010 и 29VE010, часто применяемые в качестве носителя флэш-BIOS, организованы как 1024 страницы по 128 байт с программ­ной и аппаратной защитой. Каждая страница может быть защищена независимо от других. Временные диаграммы стирания и программирования, а также необхо­димое напряжение программирования генерируются внутри микросхемы. Окон­чание операции определяется по алгоритму Toggle Bit или Data# Polling.

Аналогичные параметры имеют микросхемы 29ЕЕ011, 29LE011, 29VE011 фирмы Winbond.