Модули DIMM

Модуль памяти DIMM (Dual-In-line-Memory Module) имеет 168 независимых печатных выводов, расположенных с обеих сторон (контакты 1-84 расположены с фронтальной стороны, 85-168 — с тыльной). Разрядность шины данных — 8 байт, организация рассчитана на применение в компьютерах с четырех- и восьмибайтной шиной данных. Конструкция и интерфейс модулей соответст­вует стандарту JEDEC 21-С. Модули устанавливаются на плату вертикально в специальные разъемы (слоты) с ключевыми перегородками, задающими допус­тимое питающее напряжение и тип (поколение) применимых модулей. Модули выпускаются для напряжения питания 3, 3 и 5 В. Вид модулей и сочетания клю­чей представлен на рис. 4.3. Толщина модулей с микросхемами в корпусах SOJ не превышает 9 мм, в корпусах TSOP — 4 мм.

Рис. 4.3. Модули DIMM: а — вид модуля, б — ключи для модулей первого поколения, в — ключи для модулей второго поколения

По внутренней архитектуре модули близки к SIMM-72, но имеют удвоенную разрядность и, соответственно, удвоенное количество линий CASft (CAS[0: 7]#). Также удвоено число сигналов разрешения записи (WE-0# и WE-2#) и разрешения выходных буферов (ОЕ-0# и ОЕ-2#), что позволяет организовывать модули и в виде двух 4-байтных банков с возможностью их чередования (Bank Interlea­ving). Модули могут иметь разрядность 64, 72 или 80 бит, дополнительные раз­ряды 72-битных модулей организуются либо по схеме контроля паритета (приписываясь к соответствующим байтам), либо по схеме ЕСС; 80-битные -только ЕСС.

Модули на микросхемах емкостью 4-64 Мбит имеют объем от 8 до 256 Мбайт, в перспективе модули на 256-кбитных микросхемах будут иметь емкость до 512 Мбайт. Применение DIMM в системах с 64-битной шиной дан­ных (Pentium, Pentium Pro...) снимает проблему подбора «парных» (идентич­ных) модулей и открывает перспективы использования новых разновидностей памяти. Высокая плотность упаковки позволяет уменьшить площадь, занимае­мую большим объемом памяти на системной плате.