Extended или Enhanced Data Out (EDO)

Следующей модификацией памяти, направленной на повышение произво­дительности при том же быстродействии запоминающих элементов, явилась память EDO (Extended или Enhanced Data Out) DRAM. Эта память содержит регистр-защелку (data latch) выходных данных, что обеспечивает некоторую кон­вейеризацию работы для повышения производительности при чтении.

Этот режим иногда называют гиперстраничным режи­мом обмена НРМ (Hyper Page mode). Его отличие от стандартного заключается в подъеме импульса CAS# до появления действительных данных на выходе мик­росхемы. Считывание выходных данных может производиться внешними схема­ми вплоть до спада следующего импульса CAS#, что позволяет экономить время за счет сокращения длительности импульса CAS#. Время цикла внутри страницы для памяти со временем доступа 60 нс уменьшается с 35 нс (28, 5 МГц) у стан­дартной DRAM до 25 нс (40 МГц) у EDO, повышая производительность в страничном режиме на 40%. EDO-память со временем доступа 60-70 нс в режиме гиперстраничного обмена при частоте системной шины 66 МГц может обеспечить лучший пакетный цикл чтения 5-2-2-2. Благодаря простоте дан­ного усовершенствования при одном и том же времени доступа запоминающих элементов цена EDO-памяти почти не отличается от цены стандартной памяти. Однако ее применение дает эффект, соизмеримый с эффектом от установки стандартного асинхронного внешнего кэша. Более того, установка такого кэша в систему с EDO-памятью практически не дает повышения производительности. В результате распространилось мнение, что в EDO-памяти содержится внут­ренний кэш, однако для простого регистра-защелки название «кэш» звучит слишком торжественно.

Микросхемы EDO DRAM применяются в современных SIMM-72 и DIMM-модулях, эти модули конструктивно и по назначению выводов совместимы со стандартными (FPM). Все EDO-модули не имеют бит паритета (однобитные микросхемы EDO не выпускаются). Контрольные разряды 36-битных EDO-мо­дулей могут использоваться только в ЕСС-памяти, в которой доступ осуществ­ляется всегда сразу ко всем байтам.

Установка EDO DRAM вместо стандартной в неприспособленные для этого системы может вызвать конфликты выходных буферов устройств, разделяющих с памятью общую шину данных. Скорее всего этот конфликт возникнет с со­седним банком памяти при использовании чередования (Bank Interleaving).

Из принципиального различия в работе выходных буферов следует, что в одном банке не стоит смешивать модули EDO и стандартные. EDO-модули поддерживаются не всеми чипсетами и системными платами (в большей мере это относится к системным платам для процессоров 486). Кроме того, не все системные платы, поддерживающие EDO-память, используют потенциальный выигрыш в производительности от ее «малой конвейеризации» (это замечание больше относится к дешевым системным платам). Задержка отключения вы­ходных буферов затрудняет применение чередования банков, из-за чего неко­торые системные платы не поддерживают Bank Interleaving для EDO-памяти.

Многие современные чипсеты совместно с BIOS автоматически определяют тип установленных модулей и даже допускают смесь EDO и стандартных мо­дулей в разных банках. Для определения типа чипсет организует специальный цикл обращения, в котором «прощупывает» все банки и заполняет таблицу, после чего переводится в режим нормального обращения (с таким специальным циклом возможна и обычная работа с памятью, но ее производительность будет на удивление низкой). В нормальном режиме обращения в зависимости от ад­реса, определяющего номер банка, по значению соответствующего ему полю таблицы будет организован требуемый цикл.

Микросхемы EDO применяются как в основной памяти, так и в видеопамяти современных графических адаптеров.

Результатом дальнейшего развития конвейерной архитектуры модулей па­мяти явилась BEDO (Burst EDO) DRAM. В микросхемах данного типа кроме регистра-защелки выходных данных, стробируемого теперь по фронту импульса CAS#, содержится еще и внутренний счетчик адреса колонок для пакетного цикла. Это позволяет выставлять адрес колонки только в начале пакетного цикла, а во 2-й, 3-й и 4-й передачах импульсы CAS# только запра­шивают очередные данные. В результате удлинения конвейера выходные данные как бы отстают на один такт CAS#, зато следующие данные появляются без тактов ожидания процессора, чем обеспечивается лучший цикл чтения 5~1~1~1 для BEDO-памяти со временем доступа 60 нс при частоте шины до 66 МГц. Задержка появления первых данных пакетного цикла окупается повышенной частотой приема последующих. BEDO-память применяется в модулях SIMM-72 и DIMM, но поддерживается далеко не всеми чипсетами.