Схемы включения транзисторов.

Как элемент электрической цепи, транзистор включают таким образом, что один из его электродов является входным, а другой — выходным. Третий электрод является общим относительно входа и выхода. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) (рис. 2.12).

Рис. 2.12

Схема с ОБ усиливает по напряжению и мощности. Схема с ОК усиливает по току и мощности. Схема с ОЭ усиливает по напряжению, току и мощности, поэтому применяется наиболее часто. Коэффициент передачи тока эмиттера h_21э=(ð I_к/ð I_э)_Uкэ=const≈ I_к/I_б

h_21э= h_21б/(1- h_21б)

Семейство входных характеристик транзистора для схемы ОЭ I_б= f (U_бэ)_Uкэ=const показано на рис. 2.13, а. При U_кэ = 0 вольт-амперная характеристика аналогична прямой ветви характеристики диода. С ростом напряжения на базе ток базы экспоненциально увеличивается, переходя в линейную зависимость при сравнительно большом токе базы.

Выходные характеристики транзистора для схемы ОЭ I_к= f (U_КЭ)_Iб=const (рис. 2.13; б)...

Рис. 2.13

Характеристиками пользуются для определения режимов работы транзистора.

Рис. 2.18

1) Усилительный режим- эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный- в обратном, на рис. 2.18, а усилительный режим отмечен как активная область I.

2) Режим насыщения - при малых напряжениях на коллекторе (0, 2—0, 3 В) ток коллектора не зависит от тока базы и характеристики сливаются в одну линию (область насыщения II). В режиме насыщения оба перехода тран­зистора смещаются в прямом направлении, а транзистор можно представить в виде замкнутого ключа (рис. 2.18, б). Этот режим возникает при больших токах базы I_б≥ I_{б нас}

3) Режим отсечки - I_б = 0, оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, и через них проходят очень малые обрат­ные токи. Транзистор в области отсечки Ш представляет собой разомкнутый ключ (рис. 2.18, в). I и III режимы называют ключевыми.

4) Режим лавинного пробоя IV возникает при U_кэ=U_{кэ.проб,} при этом происходит пробой коллекторного перехода, и коллекторный ток резко возрастает. Такой режим работы транзистора является недопустимым.