ВВЕДЕНИЕ. Прохождение плазменными сгустками магнитного барьера в мультипольной ловушке

Прохождение плазменными сгустками магнитного барьера в мультипольной ловушке

^**В.М.Асташинский, А.М.Бишаев, *М.Б.Гавриков, М.В.Козинцева, Б.П.Копченков *В.В.Савельев, **П.П. Храмцов

Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" Москва, РФ, e-mail: bishaev@mirea.ru

*Институт прикладной математики им. М.В.Келдыша Российской академии наук, Москва, РФ, e-mail: ssvvvv@rambler.ru

**Институт тепло – и массообмена имени А.В. Лыкова НАН Беларуси, Минск, Беларусь, e-mail: iceret@list.ru

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время исследование мультипольных магнитных ловушек, которое проводится в МГТУ МИРЭА с 2000г., направлено на получение в ловушке плазмы с температурой на уровне 100-300эВ. Предполагается, что такую температуру можно получить, захватив в ловушку плазменный сгусток с энергией направленного движения протонов 300-900эВ. В мультипольных плазменных ловушках магнитное поле образует

Рисунок 1. Распределение модуля магнитного поля в Тримиксе-3М (СВЧ)

область с нулевым магнитным полем, со всех сторон окруженную замкнутыми магнитными поверхностями, которые создают магнитную корку (см. рисунок 1). Инжекция плазменного сгустка производится перпендикулярно магнитным силовым линиям, причем внешнюю магнитную корку сгусток должен пройти с минимальными потерями. Для захвата сгустка в ловушку необходимо знать параметры магнитного барьера для полной остановки сгустка. В работе рассматривается процесс прохождения плазменных сгустков через магнитный барьер.