Характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

Семейства входных и выходных характеристик приведены на рис.5 и 6. Входная характеристика при UКЭ=0 соответствует диодному включению транзи- стора, когда оба перехода соединены параллельно. При прямом смещении переходы от- крываются, и ток возрастает по экспоненциальному закону.

При обратном смещении коллекторного перехода ВАХ смещается вниз и вправо и при обратных напряжениях  UКЭ ≥ 0, 5В напряжение коллектора практически не влияет на входные характеристики – кривые практически сливаются. Ток базы имеет две проти- воположно направленные составляющие: IБ = (1-α)IЭ – IКБ0 (3) Первая составляющая – рекомбинационная – идет на восполнение убыли основ- ных носителей вследствие рекомбинации и инжекции в эмиттер, вторая – обратный ток коллекторного перехода. При обратном смещении базы ток базы практически совпадает с IКБ0. При подаче прямого напряжения на базу эмиттерный переход открывается и в цепи базы появляется рекомбинационный ток. Выходные характеристики в схеме с ОЭ, в отличие от характеристик схемы с ОБ, имеют крутой участок не при положительных напряжениях на коллекторе, а при малых отрицательных. Это объясняется тем, что напряжение на базе отрицательно. Пунктирная линия на рис.6 соответствует условию UКБ=0. Для схемы включения с ОЭ характерна заданная величина тока базы. В активном режиме выходной ток пропорционален входному току: IК= β IБ +IКЭО, (4) где β – статический коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ, IКЭ0 – обратный ток коллектора при разомкнутой базе. Связь между коэффициентами α, β и токами IКЭ0, IКБ0 легко получить, подставив IЭ из формулы (1) в формулу (2): 1 α α β − = (5) 0 0 (β)1 КЭ КБ I = + I (6) Пологий участок характеристик в схеме с ОЭ имеет больший наклон, чем в схеме с ОБ. Это связано с эффектом Эрли – уменьшением ширины базы при увеличении UКЭ, – даже незначительное изменение коэффициента α приводят к существенному изменению β, а следовательно, и росту тока IК в схеме ОЭ вследствие связи (5). Спад коллекторного тока наступает в режиме двойной инжекции, которой соот- ветствует область, лежащая левее пунктирной кривой UКБ=0 на рис.6. Заметный спад то- ка наступает лишь тогда, когда прямое напряжение UКБ достигает напряжения отпира- ния U U B КБ = *− 1.0, где U * – напряжение открытого p-n-перехода.