Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Модуляция ширины канала
|
|
 |
В рабочем режиме по каналу протекает ток IС, поэтому потенциалы различных поперечных сечений оказываются неодинаковыми, рис.9.5 (для примера показан транзистор с каналом p- типа, напряжение на затворе – положительное, а на стоке - отрицательное).
Рис. 9.5Модуляция ширины p- канала
Потенциал UCх, распределенный вдоль канала, меняется от 0 (у земляного вывода) у истока до UC у стока.
Оба напряжения UЗИ (положительное) и UCх (отрицательное)являются запирающими для p-n перехода.
Наибольшим будет сечение канала возле истока, где напряжение на переходе Upn = U3И, и наименьшим возле стока, где Upn = UЗИ - Uc.
Если увеличивать напряжение на стоке Uc, то увеличение IС, начиная с некоторого
значения Uc, прекратиться, т.к. сужение канала будет увеличивать его сопротивление и увеличения тока, несмотря на увеличение напряжения, происходить не будет. Этот процесс называется насыщением.
При относительно большом напряжении Uc, когда UСИ + U3И > Upn допуст, в стоковом участке обратно включенного управляющего p-n перехода возникает электрический лавинный пробой и IС резко возрастает. Этот ток замыкается через электрод затвора.
Условное графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом:
Рис. 9.6 Условные обозначения полевого транзистора, имеющего канал n-типа (а) и
p-типа (б). Стрелка в выводе затвора указывает направление прямого тока через р-n переход
|
|