Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Цель работы.




Изучение устройства, принципа действия, типов и схем включения полевого транзистора. Измере­ние входных и выходных характеристик транзистора в ста­тическом режиме.

Приборы и принадлежности: лабораторный стенд.

Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться с порядком выполнения работы (смотри "Дополнение к лабораторной работе №1П", которое находится на рабочем месте).

2. Снять и построить семейство выходных характеристик МДП-транзистора Ic = f(UCИ) |UЗИ= const при прямом и обратном включении. Набор значений U, указан в "Дополнении к лабораторной работе № 1П".

3. По крутому участку ВАХ оценить внутреннее или дина-мическое сопротивление Ri транзистора, исходя из формулы

4. Из полученного набора ВАХ определить тип исследованного МДП-транзистора (с индуцированным или встроенным каналом).

 

Внимание: Строго придерживаться указаний по ходу выполнения лабораторной работы, изложенных в "Дополнении к лабораторной работе № 1П ", находящемуся на рабочем месте.

Контрольные вопросы

1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?

2. Как происходит управление током стока в полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом?

3. Какие физические факторы могут влиять на характер зависимости тока стока от напряжения сток-исток полевого транзистора с управляющим переходом?

4. Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора?

5. Какие физические явления лежат в основе работы полевых транзисторов?

6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами? Как это отличие отражается на статических характеристиках передачи?

7. Каковы основные достоинства различных типов полевых транзисторов?

Литература

1. Лебедев А.Ю. Физика полупроводниковых приборов. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 488 с.

2. Бобров И.И. Физические основы электроники: Учеб. пособие. Перм. гос. тех. ун-т. – Пермь, 2003.- 158 с.

3. Толмачев В.В., Скрипник Ф.В. Физические основы электроники. / В.В. Толмачев, Ф.В. Скрипник – М.: Ижевск, НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований, 2009. – 464 с.

 

 

Составители Максимов С.М., Ершов И.В.

 

 

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
(ОПТОПАР, БИПОЛЯРНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ)

 

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ №1, 1П, 24, А

 

 

Корректор Т.В. Колесникова

Компьютерная обработка: С.Ю. Матузова

 

____________________________________________________________



В печать 30.07.2014.

Объём 1,9 усл. п. л. Формат 60х84/16.

Заказ № . Тираж 60 экз. Цена свободная

____________________________________________________________

Издательский центр ДГТУ

Адрес университета и полиграфического предприятия:

 
344000, г. Ростов-на-Дону, пл. Гагарина,1.


mylektsii.ru - Мои Лекции - 2015-2018 год. (0.005 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал